随着Intel和AMD的主板已经全面支持PCIe 40协议的M2固态硬盘，高性能的PCIe 40固态硬盘也开始大面积的普及开来，作为存储行业的领导品牌之一，三星存储近期更是发布了全新的三星990PRO固态硬盘。这款硬盘作为旗舰的高性能M2标杆产品，必能给游戏玩家带来极速畅快的游戏体验，以及为高阶内容创作者带来更为高效的后期处理效率。今天我们就来对这款固态硬盘的1TB版本进行深度评测，让大家更直观的了解它的性能究竟如何。

外观：经典升级 标准M2接口设计

首先我们来看下外包装，本次三星990PRO采用了更具科技元素的设计，非常酷炫大气，经典的“PRO”字样同样进行了红色标注，意味着强劲的性能和旗舰级的定位，这也是历代三星高性能固态硬盘“PRO”系列的标志性特点之一。

在包装的右下角标注了这款固态硬盘的性能表现——顺序读取速度高达7450MB/s，可以说是目前市面上的高端旗舰固态硬盘了。

在包装的左上角标注了容量，此次评测的产品为1TB。在容量方面，目前全新的三星990PRO提供了1TB和2TB两个版本供用户选择，明年也会上市4TB版本。毕竟随着用户需求的不断发展，动辄几十个G的游戏和视频素材，让用户对于大容量的固态硬盘需求在不断提升，估计这也是三星990PRO的容量会选择从1TB起跳的重要原因。

再来看产品本身，三星990PRO采用了标准的2280身材，并且1TB容量版本为单面颗粒设计，方便目前市面上大部分带有散热装甲的主板使用。同时对于PS5游戏主机用户来讲，990PRO散热片版也已经同步发布，上手指日可待。 

兼容性方面，这款固态硬盘支持PCIe 40协议，M2接口设计，并且能够向下兼容PCIe 30，但是受限于带宽，只能实现3500MB/S的带宽速度，所以还是建议用户选择支持PCIe 40协议的主板。

自研主控芯片配合三星V-NAND颗粒 性能有保证

除此之外，这款固态硬盘在主控方面，使用的是三星自研的Pascal主控芯片，能够实现更高效的数据处理，让这款固态硬盘能够实现至高1550K IOPS的随机读写性能，以及7450MB/S的顺序读取性能，表现极为优秀。

不仅如此，在售后和品质方面，三星990PRO 2TB版本提供业内领先的5年有限保修或至高1200 TBW有限保修，1TB版本提供5年有限保修或600 TBW 有限保修，彻底免除用户的后顾之忧。

1GB LPDDR4 DRAM高速缓存配合智能TurboWrite 20技术让硬盘性能全面释放

硬盘在进行大型数据拷贝的时候，经常会遇到缓存写满之后硬盘出现掉速的情况，三星990PRO提供了更大的缓存空间，并且配合上三星智能TurboWrite 20技术，能够动态扩大SLC缓冲区，可以至少扩大3倍以上，智能分配更多的缓存空间，保证硬盘随时随地都能够保证巅峰性能表现，有效减少掉速的情况发生。

性能测试：顺序读取超7500MB/S 性能再攀巅峰

测试开始之前，我们先来看一下本次测试使用的平台：处理器方面，我们使用了Intel酷睿12代i9-12900k处理器，主板为微星的Z690CARBON wifi D5,内存为Kingston FURY野兽DDR5 RGB 16g2 5600MT/S，显卡则为Intel ARC A770，性能最终的测试结果多次取平均数，测试系统为Windows 11专业版22H1。

顺序读写性能测试：

首先我们非常熟悉的CrystalDiskMark，在这项测试中我们可以看到，三星990PRO的顺序读取速度达到750186MB/S，顺序写入速度达到6908MB/S,表现非常出色。

TxBENCH是一款高效的固态硬盘测试软件，通过这款软件我们能够直观地看到硬盘的性能参数，是我们比较常用的测试软件。经过测试三星990PRO的顺序读取速度为7492MB/S，在大型的游戏读图过程中，能够实现更加快速的游戏读取，进而减少更多的不必要的等待时间。当然除了游戏之外，在日常的素材拷贝方面，这样的性能表现也能够带给内容创作者更高的工作效率。

另外在4K随机性能表现方面，其表现也非常出色，761MB/S的性能表现领先上代980PRO约50%以上，表现出色。

在AS SSD Benchmark测试中我们可以看到，三星990PRO的4K随机写入速度为1532K IOPS，随机读取成绩为1232K IOPS，这样的4K随机写入速度相对于上代980PRO有了接近50%的性能提升，提升非常明显。尤其在读写碎文件的时候，能够提供更快的读写速度，大大提升我们日常的使用体验，性能表现非常优秀。

另外在PCMARK10存储项目测试中，三星990 PRO综合得分为4730，带宽为74684MB/S，平均存取时间为35us，这样的成绩表现非常出色，能够胜任目前市面上99%以上的办公、游戏、内容创作等应用，综合表现出类拔萃。

三星魔术师是三星官方推出的固态硬盘管理软件，这款软件功能非常强大，能够查看产品的状态，备份我们的重要数据，并且还能迁移系统，同时还能对关键的数据进行加密，保证我们的数据安全。在使用这项软件进行测试之后，我们可以看到，三星990PRO的顺序读取速度为7466MB/S，这项测试中4K随机写入速度为1426K IOPS，随机读取速度为1200K IOPS，表现非常抢眼，性能有了大幅提升。

在3DMAKR存储测试项目中，三星990 PRO的整体评分达到3867，在大型游戏读取方面有着更为明显的优势，尤其是《战地风云5》这款游戏，能够提供120675MB/S的高速读取，能够轻松满足高阶游戏玩家的游戏要求。

另外在温控表现方面，三星990PRO采用了镀镍涂层，能够有效将主控芯片的热量即时排除，进而保证其散热性能，在高速的读写状态下，不会因为高温出现掉速的情况，配合上三星当家的动态热保护机制，能够时刻让硬盘保持在最适合的温度区间内进行工作，保证硬盘的性能时刻在线。

功耗方面，三星990PRO的主控芯片采用了低功耗的设计，根据官方给出的资料，功耗效能相对于上代有了50%左右的提升，在提升效能的同时有效降低了功耗。

写在最后：作为全新的旗舰级固态硬盘，三星990PRO性能升级明显，与980 PRO相比，990 PRO系列的随机性能提高了55%，在日常的游戏以及高效存储任务上面有着更加明显的提升，能够让玩家享受酣畅的游戏体验，为内容创作者提供更加高效的后期内容处理，大幅提升效率。与此同时，三星990PRO再一次突破PCIe 40瓶颈，将固态硬盘的性能提升到了7450MB/S以上，如果你想要更为酣畅的使用体验，那么三星990PRO一定是你的不二之选！

不想，说，他们联想的东西贵的要死，性能一般，建议你去看看五元素的ifive mini 2也支持联通网络，ips屏，1。2G处理器。。。四核显卡，防滚架，有效抗摔，绝对是中产中白富美了，内置GPS，1G内存，wifi，如果有条件的话，就买ifive 2没有就mini2，对了颜色全部只有白色哦，一千以下，但性能比ipadmini却要好，半夜手打，我的ifive2跑分，3D直超HTC好几百分，虽然整体性能没有它们好，分数也排第三，但是价钱却是它们的三分之一，还有我的 显卡跑分是所有产品中最高的，你去网上看看五元素的，评价你就知道，说这么多你若还不采纳我也没办法了，但是真的希望你考虑一下支持国产，最后望采纳

1。K8377次列车是到上海火车站（闸北区）

长宁文化艺术中心

地址：长宁区仙霞路650号(近安龙路)

电话：(021)62612818

地铁4号线 → 地铁2号线 → 856路

约50分钟 / 112公里

上海火车站

乘坐 地铁4号线(宜山路)方向), 在 中山公园站 下车

乘坐 地铁2号线(徐泾东方向), 在 娄山关路站 下车(4号口出)

40米步行至 天山路古北路站

乘坐 856路, 在 虹古路安龙路站 下车

180米步行至 长宁文化艺术中心 （下车往回，沿安龙路走180米，到达终点）

铁路经常会对车次进行调整，尤其是在春运这段时间。据我了解K8377以前是从淮南到上海的，但是现在确实在12306网站查不到此辆车的信息了，所以这个车次已经停运了。并且这个车次的时间已经被K8385所替代了。

是的，K8377次火车5号车厢的110号座位是靠窗户的位置，就是在车厢尾部的倒数第2排一个三人座的最里面位置。

这趟K8377次火车的5号车厢就是一节没有列车长办公席的硬座车厢，共有118个定员座位，靠窗户的座位是：尾号4、9、5、0的座位；001号座位，118号座位。

下面这也是我网上复制来的

慢慢看吧 也算多长点知识

把你的编号问题都给解释了

内存作假主要是以低速内存冒充高速度的，以低容量内存冒充高容量的。要杜绝此类作假，就要学会识别内存规格和内存芯片编号，方法一般是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，前者是内存的技术规范，后者由于厂家的不同，其编号规则也不同。

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）10---12版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或65，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为12版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）12b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表54ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为12；g代表修订版本，如2代表修订版本为12；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为20）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、33V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少75ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表54ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为20。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为10）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为21001/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=25；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表75ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为10。

4、RDRAM 内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为8001/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=33V,U=25V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（75=75ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，75是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有036mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV12版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV11版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=02微米33V Vdd CMOS，V=25V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 基粒数目 = 16 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113

FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，02微米33V

Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=33V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[33V]、L=DDR SDRAM[25V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [156μs]、1 = 32m/2K [156μs]、2 = 128m/8K[156μs]、3 = 64m/8K[78μs]、4 = 128m/16K[78μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(33V)、1=SSTL_2(25V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 67ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 75ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit16=64Mbit内存芯片，33V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (156μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(33V)，封装类型66针TSOP

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=33V Vdd CMOS，V=25V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cdef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns

SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz

DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=25

-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）Rambus（时钟率）

-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns

+的含义

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=25）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=25）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=168MB=128MB，133MHz

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=75ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，75=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=75ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=68ns〔147MHz〕，75A=75NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

K8377次列车（快速 有空调），始发站：淮南；终到站：上海；全程共有12个停靠站：

站序 车站 车次 到时 发时 历时 商务座 特等座 一等座 二等座 高级软卧上/下 软卧上/下 硬卧上/中/下 软座 硬座

1 淮南 K8377 ---- 14:05 -- -- -- -- -- -- -- -- -- --

2 蚌埠 K8377 15:47 16:05 01:42 -- -- -- -- -- -- 61/66/69 -- 15

3 明光 K8377 16:43 16:47 02:38 -- -- -- -- -- -- 70/75/78 -- 24

4 滁州北 K8377 17:30 17:34 03:25 -- -- -- -- -- -- 79/84/87 -- 33

5 南京 K8377 18:24 18:32 04:19 -- -- -- -- -- -- 88/93/96 -- 42

6 镇江 K8377 19:17 19:21 05:12 -- -- -- -- -- -- 97/102/105 -- 51

7 丹阳 K8377 19:39 19:42 05:34 -- -- -- -- -- -- 100/105/108 -- 54

8 常州 K8377 20:11 20:15 06:06 -- -- -- -- -- -- 111/115/118 -- 63

9 无锡 K8377 20:42 20:46 06:37 -- -- -- -- -- -- 116/120/123 -- 65

10 苏州 K8377 21:14 21:18 07:09 -- -- -- -- -- -- 124/127/131 -- 70

11 昆山 K8377 21:42 21:46 07:37 -- -- -- -- -- -- 134/139/143 -- 76

12 上海 K8377 22:35 ---- 08:30 -- -- -- -- -- -- 140/145/149 -- 79

35和36是挨着的三人座

35靠窗，36中间

尾号：0、5是三排座靠窗

尾号：4、9是双排座靠窗

尾号：2、7是三排座靠过道

尾号：1、6是三排座中间

尾号：3、8是双排座靠过道

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