三星SSD固态硬盘 840EVO 的缺点：4K读写一般，随机写入能力较弱。
造成缺点的原因
如图，三星MEX三核主控的内部核心为8通道闪存控制器，每通道支持4CE，SSD的CE总量达到32方可发挥最佳性能。
而三星840 EVO 120GB SSD采用两个64GB 闪存颗粒，每个颗粒4die 128Gb芯片（4CE），合计总共8CE，离32CE总量甚远。这就是问题的根源所在。
扩展资料：
三星840EVO 固态硬盘是三星2013年7月推出了新一代固态硬盘产品。与在之前的840系列固态硬盘相比，840 EVO除了在主控、闪存、缓存、固件方面进行了更新换代外，性能有了很大提升，另外容量方面最大容量翻倍至1TB，最小120GB容量。
840 EVO固态硬盘使用的是1xnm新工艺的TLC，这种闪存每颗能封装最多八个Die，每Die晶圆芯片为128Gbit(折合为16GB），页面尺寸8KB，只不过每个区块的页面数量从192增至256，每颗黑色的成品闪存采用MCP多芯片封装，单颗容量最大为128GB。可靠性上，编程/擦写循环次数还是1000-3000。
参考资料：
