IT168 评测三星在3D NAND上算得上先行者，其早在2014年就推出了消费级市场中首款应用3D闪存的SSD——850 PRO/EVO。时隔近4年之后，三星终于拿出了850 PRO/EVO的升级产品——860 PRO/EVO，闪存颗粒的堆叠层数也进化到了64层，今天我们就来聊聊512GB的860 PRO。
一、外观/内部解析
860 PRO在包装上依然延续了三星SSD一贯的设计风格，正面右侧是产品图，左侧下方印有860 PRO的产品型号、SATA 6Gb/s的接口速度以及V-NAND的字样，右上角标有512GB的容量。
860 PRO的本体，外形是我们非常熟悉的25英寸大小，正面只有三星和SSD的全称字样，并没有产品型号，下面有一个红色的方块，右侧还有一个箭头用来指明接口方向。
SSD的背面，这里和产品相关的信息就比较多了，型号、容量、生产日期、工作电压电流等都非常详细。我们手上的这块512GB的860 PRO是在2017年11月生产的。
一般来说SSD背面的固定螺丝孔都是和背面一体的（也就是在背面挖个孔），而860 PRO背面的螺丝孔是和侧面的螺丝孔一体成型的，并且在表面进行了抛光处理。这种固定方式显然比在背面直接开孔更加稳固，当然这对SSD正面壳体的强度也有更高的要求。
硬盘接口部分，左侧7针的是SATA 30接口，理论带宽6Gb/s，右侧15针的是供电接口。
860 PRO的顺序读写速度最高可达560MB/s和530MB/s，随机读写速度最高可以达到100K IOPS和90K IOPS，这个速度放在SATA硬盘里也并不出众，毕竟SATA 30的接口带宽摆在那里。
小心拧下背面的三颗螺丝就可以把背面取下了（有两颗在铭牌贴纸下面），需要注意的是860 PRO的固定螺丝是不太常见的五角梅花螺丝，如果没有合适的螺丝头可以用一字代替。
取下背面之后你会发现860 PRO的PCB居然这么小，大约只有25英寸硬盘面积的1/3，说实话笔者在拆开后也被震惊了。
PCB正面由一颗主控+一颗缓存+一颗闪存颗粒组成，还有许多密密麻麻的电容。
PCB背面只有一颗闪存颗粒，加上正面的一颗，两颗一共组成512GB。在这么小的PCB上竟然可以装下500GB的文件，想想都觉得不可思议。
主控颗粒是三星自家的MJX控制器，关于这颗主控的核心数量、制造工艺等信息目前还不清楚，只知道它增加了对LPDDR4缓存的支持。
缓存颗粒为512MB的LPDDR4。
闪存颗粒为三星自家64层堆栈的3D MLC V-NAND，这也是三星的第四代3D NAND，单颗容量256GB，写入寿命600TBW，也就是约1200次全盘写入。
去年就已经有一些厂商推出了应用64层闪存颗粒的SSD了，比如西数的蓝盘3D NAND SSD、东芝的TR200，860 PRO和他们最大的区别就是使用了MLC的闪存颗粒。
二、基准性能测试
测试平台如下表：
测试环境、软件如下表：
测试平台是英特尔的第八代酷睿i7-8700K，搭配微星的Z370主板，两条金士顿骇客神条内存，主硬盘是英睿达的MX300 750GB，其余配置请看上表。
测试软件则是大家非常熟悉的AS SSD、ATTO、CDI、CDM、TxBENCH、PCMark 8以及三星自家的魔术师软件。
首先用CrystalDiskInfo看一下硬盘信息，确认当前的传输模式为SATA 30（6Gb/s），另外可以看到硬盘的通电次数只有2次，非常新。
熟悉AS SSD的朋友都知道，在所有硬盘跑分软件中它的分数是最低的，和官方标称值差距最大，我们手上的这块860 PRO 512GB的顺序读写速度分别能够达到524MB/s和488MB/s，单线程下的4K随机读写速度为45MB/s和119MB/s。
在切换到IOPS后，64线程下的读写速度分别可以达到97K IOPS和87K IOPS，和标称值有一些差距，但也在合理的范围内。
在ATTO的测试中，860 PRO 512GB的最高顺序读写速度分别有559MB/s和524MB/s，和官方值很接近了。
再来看CDM的测试，Q32T1下的顺序读写速度分别有558 MB/s和518MB/s，读取速度和ATTO的成绩基本一致。Q1T1下的随机读写速度为48MB/s和139MB/s。
在TxBENCH的测试中，554MB/s、510MB/s的顺序读写速度同样很接近官方标称值，单队列深度下的随机读写速度为47MB/s和122MB/s，这和前几款测试软件的成绩也是相符的。
再来看PCMark 8的存储测试，总分4979分，带宽28535MB/s，这个成绩在SATA SSD中算比较高的了，但是如果你仔细对比过下面的每一个测试项的话，你会发现SATA SSD之间只有在进行重度Photoshop处理的时候才有比较明显的差距，其余测试项的差距基本都在一两秒以内。
最后再来看看三星自家魔术师软件的测试成绩，顺序读写分别有557MB/s和523MB/s，随机读写分别有96K IOPS和85K IOPS，顺序读写速度和ATTO的非常接近。
三、评测总结
在西数、东芝相继推出64层3D闪存颗粒的SSD之后，三星也终于拿出了同属64层堆栈的3D NAND SSD——860 PRO/EVO，新品正是基于自家V-NAND技术的第四代3D NAND，两者之间就是MLC和TLC的区别。
经过我们的测试，860 PRO 512GB的顺序读写速度基本在550MB/s和510MB/s以上，单线程下的4K随机读写速度基本在45MB/s和120MB/s以上。尽管SATA SSD之间的速度相差不大，但是凭借600TBW的总写入量（1200次的全盘写入次数），860 PRO无疑有着更加可靠的品质。
第一张: Sandisk Extreme 64G UHS-3
介质: 未知 (依照速度以及TF卡背面凸起部分的大小推测是MLC)
保固期: 终身
Sandisk这张卡是三张中最快的，价格最贵的，但也是速度最不稳定的，大多数时候稳定在51M/S，有时稳定在28M/S，小概率可以跌倒11M/S
卡的4K很不错，可以做WTG用。冲着MLC的概率高买的，存拍照、音乐和影片用。买入的价格是399，后来才看到LEXAR的卡全是MLC的。
第二张: Lexar 300x 64G UHS-1
介质: MLC
保固期: 10年
Lexar的卡对于199的价格来说，性价比是不错的，毕竟是MLC的，并且速度达到了34M/S，唯一的缺点是4K写方面稍有欠缺。
第三张: Samsung EVO UHS-1 64G
介质: TLC
保固期: 10年
3张卡里最便宜的，速度也过得去，但是不知道为什么CDM测出的写入速度就是偏高，不过不敢用这个卡存重要数据(怕掉电)
三星S4检测不到手机卡处理方法：
1重新开关机，检查手机卡是否插入到位及正确
2取出SIM，用橡皮清洁SIM卡金属触点。（是否是sim卡接触不良）
3更换一张SIM卡试试（是否sim卡已老化或坏损）
4备份手机数据（电话簿、短信息、多媒体文件等），恢复出厂设置。
若问题依然存在，建议将手机送至就近的三星服务中心进行检测维修。
