Intel为了拓展新商机决定为它厂进行晶圆代工，第一个客户则是FPGA大厂Atera，他们将以14nmFinFET为其代工基于ARMCortex-A53的高阶四核心AlteraStratix10，这款产品是针对如搜寻引擎到资料中心的加速器、雷达管制以及安全，据称相较目前Atera28nm的旗舰FPGA，Intel所代工的Straix10效能将可高出一倍，预计2014年推出。
EETimes
Atera的FPGA产品并非针对消费性的手机处理器，但仗着先进制程为后盾，并且由Atera开启代工ARM架构处理器的先例，对于其它ARM晶片厂商也会造成一定影响，尤其台积电最快也要到明年才会进入20nm制程，但Intel却已经能提供更先进的14nm的前提下，制程越先进，意味着省电、低发热、高效率，对目前追求轻薄设计的手机处理器吸引力很大。
除此之外，Intel不仅有晶圆代工的计画，还记得先前也曾释出Atom架构授权的方案，近期又预计把针对物联网设计的低阶处理器Quark架构进行授权，但就目前来看其它厂商采用的意愿仍不高，似乎趁著台积电、三星、GlobalFoundries制程还有落差，趁机抢一票基于竞争对手ARM架构的代工好像也不太错。
实际功效呗，你工艺再高明生产出来的产品质量不好用有啥用=。=
就跟你用五联机床加工一颗螺丝，紧固性还不如铸造的，工艺NB代表不了什么，主要看产品质量。
不过我很好奇你说的是那款产品？我个人觉得三星的10nm出品的骁龙处理器挺不错的，台积电的麒麟我咋感觉很垃圾=。=，当然英特尔是霸权厂商技术领先半个世纪我觉得比不上也没啥问题。。。
i7处理器有5代
Core i7（中文：酷睿i7，核心代号：Bloomfield）处理器是英特尔于2008年推出的64位四核心CPU，沿用x86-64指令集，并以Intel Nehalem微架构为基础，取代Intel Core 2系列处理器。
酷睿i7是由Intel（美国英特尔公司）生产的面向中高端用户的CPU家族标识，包含Bloomfield(2008年）、Lynnfield(2009年)、Clarksfield(2009年)、Arrandale(2010年)、Gulftown(2010年)、
2 各代cpu制程
CPU的制程越小，说明它的工艺越先进，难度也就更大，价格也会更高。
3 英特尔历代CPU
intel酷睿处理器区分第几代通过型号后第一位数字来获得，例如i5-4210U，i5后面的第一个数字4表示酷睿i5系列的第四代处理器。
第二位数字代表处理器等级排序，数字越大性能等级相对越高; 第三位基本上就是对应核芯显卡的型号，其中3代表高性能处理器配HD4600；5代表核芯显卡采用的是Iris 5000、5100 或者Pro 5200；而0则是 HD 4600;
4 英特尔cpu工艺历史
Intel（英特尔）是当前最主流的台式机、笔记本、服务器CPU厂商。和英特尔类似的还有AMD厂商的CPU。
Intel生产的CPU型号繁多，每个型号的CPU都有对应的编号。这个编号有特定意义。
Intel生产的CPU的分类方法有很多。例如：按照CPU的使用场景可以分为台式机CPU、笔记本CPU、服务器CPU、物联网嵌入式CPU等。
5 英特尔CPU制程
英特尔处理器最新到了第11代。
英特尔第11代酷睿处理器依旧采用10nm制程工艺打造。基于英特尔全新的SuperFin技术工艺、WillowCove架构以及Xe图形处理架构，CPU频率提升至48GHz。
得益于全新SuperFin制程技术，官方表示第11代酷睿处理器相比前代产品运行频率显著提高，具体为CPU性能提升超20%，集成lrisXe核显性能翻番，AI性能相当残暴，提升了5倍之多。Wi-Fi6无线网络则为其提供3倍于Wi-Fi5的速度。
6 英特尔公布cpu制造全过程
1、Intel公司
Intel是生产CPU的老大哥，它占有大约80%的市场份额，Intel生产的CPU就成了事实上的x86CPU技术规范和标准，最新的酷睿2成为CPU的首选。
2、AMD公司
除了Intel公司外，最有力的挑战的就是AMD公司。AMD公司专门为计算机、通信和消费电子行业设计和制造各种创新的微处理器（CPU、GPU、APU、主板芯片组、电视卡芯片等)、闪存和低功率处理器解决方案，AMD 致力为技术用户——从企业、政府机构到个人消费者——提供基于标准的、以客户为中心的解决方案。
AMD是目前业内唯一一个可以提供高性能CPU、高性能独立显卡GPU、主板芯片组三大组件的半导体公司，为了明确其优势，AMD提出3A平台的新标志，在笔记本领域有“AMD VISION”标志的就表示该电脑采用3A构建方案，AMD 有超过70% 的收入都来自于国际市场，是一家真正意义上的跨国公司。
3、Cyrix
曾经风靡一时的世界第三大CPU生产厂家，现在被VIA与AMD分别收购生产线与技术。
4、全美达·NexGen·IDT公司
曾经的辉煌，因AMD与Intel大厂之间的竞争而渐渐退出市场。
5、IBM公司
国际商业机器公司IBM，拥有了自己的芯片生产线，主要生产服务器用POWER处理器。
6、国产龙芯
GodSon 小名狗剩，是国有自主知识产权的通用处理器，目前已经有2代产品。最新的龙芯2F已经赶上intel中端P4的水平。
7、VIA中国威盛
VIA威盛是台湾一家主板芯片组厂商，收购了前述的 Cyrix和IDT的cpu部门，推出了自己的CPU，性能可以与Intel的经济型CPU相比，功耗只有1W，在Intel与AMD的双重压迫下艰难生存。
7 英特尔处理器制程
单纯从制作工艺上来说，当然是制造工艺越小越好。
1目前Intel系列制作工艺达到了14纳米；
2AMD系列制作工艺达到了32纳米。 什么是制造工艺： 1制造工艺指制造CPU或GPU的制程，或指晶体管门电路的尺寸，单位为纳米（nm)。 2目前主流的CPU制程已经达到了14-32纳米（英特尔第五代i7处理器以及三星Exynos7420处理器均采用最新的14nm制造工艺）。
3更高的在研发制程甚至已经达到了7nm或更高。 制造工艺高带来的好处： 1更先进的制造工艺可以使CPU与GPU内部集成更多的晶体管，使处理器具有更多的功能以及更高的性能。 2更先进的制造工艺会减少处理器的散热设计功耗（TDP)，从而解决处理器频率提升的障碍。 3更先进的制造工艺还可以使处理器的核心面积进一步减小，也就是说在相同面积的晶圆上可以制造出更多的CPU与GPU产品，直接降低了CPU与GPU的产品成本。
8 英特尔历代cpu制程图
14年的发布的是i5四代，例如i54690
Intel 酷睿i5-4690采用22纳米工艺制程，采用了最新的LGA 1150处理器插槽。i5-4690原生内置四核心，四线程，处理器默认主频高达35GHz，最高睿频可达39GHz 。二级缓存为1MB，同时三级高速缓存容量更是高达6MB，这样使得CPU在处理数据时提高了命中率，并且使软件加载时间大大缩短。内存控制器为双通道DDR3 1600MHz
9 英特尔历代cpu制程参数
处理器作为电脑重要部件之一，和电脑性能直接挂钩，想要购得一台满足自己用途的电脑，处理器是关键。面对五花八门的处理器型号，是不是有点不知所措？不慌，其实这些看似复杂的处理器型号背后其实有迹可寻。
我们首先需要了解英特尔处理器都分为哪些系列，包括凌动（ATOM）、奔腾（PENTIUM）、赛扬（CELERON）、酷睿（CORE）、志强（XEON），只要根据不同需求进行相应系列处理器即可。
首先是凌动处理器，低功耗是它最大特点，但也因此导致性能较弱，常见的系列有X3、X5、X7，广泛运用于平板电脑，例如Surface3，使用的就是凌动X7-Z8700四核处理器，最高频率24GHz，14nm制程工艺，自带核显，场景设计功耗(SDP)仅有2W，这使得Surface3完全采用被动散热。
接着是奔腾和赛扬处理器，这两个系列处理器主要运用于简单文字办公和网页浏览等使用场景，OEM厂商使用的较多，但还是存在个例，比如G4560这颗处理器，在游戏表现上媲美同级别i3处理器。
然后是主流的酷睿系列处理器，其中包含i3、i5、i7、i9。在该系列中，i3定位入门级，用于基础办公、网页浏览、影音娱乐等场景，适用于日常家用，例如：i3-9100、i3-10100等。
i5系列定位中端，除了以上i3使用场景外，能做一些简单的视频剪辑等内容创作，足够运行大部分游戏，例如：i5-9400、i5-10400等。
i7系列定位高端，能处理大型运算任务，如：大型游戏、3D渲染，视频剪辑，软件开发等。常见型号有：i7-9700K、i7-10700K等。
i9则是i7的升级版，定位旗舰，其中i9-9900K更是可以超频到50GHz，单核性能十分强劲。
最后是至强系列处理器，该系列定位高端服务器市场，分为E、W、D、Platinum四个系列，这类处理器往往核心数较多，主频较低。适用于云计算，存储服务器，三维渲染等使用场景。但是E3-1230 V3这颗处理器比较特别，因为它兼容民用级B85芯片组主板，在当时来说是一颗性价比很高的处理器，i5的价格享受i7的性能，被称为“E3神教”。
让我们再来看看处理器后缀都代表什么吧：
X代表至尊版，多用于工作站。
K代表解锁倍频，可以超频，例如：i9-9900K。
T代表桌面级低功耗处理器，频率往往较低，多用于一体机。
F代表不带核显，必须搭配独立显卡才能使用。
M代表Mobile，专为笔记本设计，功耗和发热都比较低。
H代表高性能显卡，例如i7-9750H。
HK代表高性能显卡解锁倍频，如i9-8950HK。
HQ代表高性能显卡，Q表示四核心处理器，如i7-8750HQ。
U代表超低功耗，现在的轻薄本大多都用这类处理器，如：i5-10210U。
Y代表极低功耗，如i7-4610Y。
10 英特尔制程发展史
因为Intel 是有自己的芯片制造工厂的，它的芯片是自己制造的。
而其他芯片厂商 是找 三星和 台积电代工的。intel早年制程领先太多了 无论是三星还是台积电都被甩一条街 转折应该是14nm的时候吧 intel止步太久了 因为前几年酷睿技术出来以后，Intel 的电脑芯片优势 太强，没有竞争对手，每次都是挤牙膏似的提升CPU性能 虽然同在14nm中 intel是最好的 但是对手已经开始向7nm发力了 intel的10nm还没成熟。比如7月份上的 AMD 的锐龙3代 处理器 就是 7纳米工艺，性价比很高，虽然Intel有一定的技术储备，但锐龙三代 还是会给Intel造成很大的压力， 不过Intel 现在正在发力，今年 10纳米的 移动处理器 会发布，明年 10纳米的 桌面处理器 也会出来。
11 英特尔历代cpu制程表
品名
型号
主频
二级缓存
制程工艺
核心
针脚
英特的参数
Intel
酷睿E420
16G
512KB
65纳米
赛扬单核
775
Intel
酷睿E430
18G
512KB
65纳米
赛扬单核
775
Intel
酷睿E1200
16G
512KB
65纳米
赛扬双核
775
Intel
酷睿E1300
18G
512KB
65纳米
赛扬双核
775
Intel
酷睿E1400
20G
512KB
65纳米
赛扬双核
775
Intel
酷睿E1500
22G
512KB
65纳米
赛扬双核
775
Intel
酷睿E2140
16G
1024KB
65纳米
奔腾双核
775
Intel
酷睿E2160
18G
1024KB
65纳米
奔腾双核
775
Intel
酷睿E2180
20G
1024KB
65纳米
奔腾双核
775
Intel
酷睿E2200
22G
1024KB
65纳米
奔腾双核
775
Intel
酷睿E2220
24G
1024KB
65纳米
奔腾双核
775
Intel
酷睿E4300
18G
2048KB
65纳米
奔腾双核
775
Intel
酷睿E4400
20G
2048KB
65纳米
奔腾双核
775
Intel
酷睿E4500
22G
2048KB
65纳米
奔腾双核
775
Intel
酷睿E4600
24G
2048KB
65纳米
奔腾双核
775
Intel
酷睿E5200
25G
2048KB
45纳米
奔腾双核
775
Intel
酷睿E5300
26G
2048KB
45纳米
奔腾双核
775
Intel
酷睿E5300
27G
2048KB
45纳米
奔腾双核
775
Intel
酷睿E6300
28G
2048KB
45纳米
酷睿双核
775
Intel
酷睿E6500
293G
2048KB
45纳米
酷睿双核
775
Intel
酷睿E6550
30G
2048KB
45纳米
酷睿双核
775
Intel
酷睿E7200
253G
3072KB
45纳米
酷睿双核
775
Intel
酷睿E7300
266G
3072KB
45纳米
酷睿双核
775
Intel
酷睿E7400
28G
3072KB
45纳米
酷睿双核
775
Intel
酷睿E7500
第一，英特尔的工艺比三星什么的要先进，不可否认这方面工艺上他是业内最好的。
第二，10纳米工艺现在还不成熟，说白了就是良品率还不高。良品率不高就推广的话单价会比较贵，因为要把废品造成的损失用良品去弥补。
第三，需要回收成本，别的不说，只说最基本的掩膜成本。不多，大概100亿美元左右。这只是单项保本，没提赚钱和别的。。。。
这些问题都需要靠时间去解决，而且现在已经接近了硅材质的物理极限（理论上是7纳米，现在实验室有7纳米一下的但只是在实验室阶段，具不具备实际的商业价值还要另说）。制程工艺想再提高那成本投入不是简单的翻倍而是几何性的增加。
在半导体设计、制造及封测三大领域中，国内公司最薄弱的环节是半导体制造，目前英特尔、三星、台积电三大公司的制造工艺已经微缩到了14nm、10nm及7nm节点，国内最大的晶圆代工厂中芯国际目前量产的最先进工艺还是28nm，预计今年量产14nm工艺。在中芯国际之外，另一家代工大厂华力微电子也宣布今年底量产28nm HKC+工艺，明年底将会量产14nm FinFET工艺，这将是国内第二家量产14nm工艺的代工厂。
上海华力微电子公司（HLMC）是华虹集团子公司之一，成立于2010年1月，是国家“909”工程升级改造项目承担主体，拥有中国大陆第一条全自动12英寸集成电路芯片制造生产线（华虹五厂），工艺技术覆盖55-40-28纳米各节点，月产能达35万片。
2018年10月18日，华力公司第二条12英寸晶圆厂生产线投产，总投资387亿元，经过22个月的工期建设正式投产，月产能为4万片晶圆，工艺技术从28nm起步，目标是具备14nm 3D工艺生产能力，不过最初的月产能是1万片晶圆，14nm工艺目前也没有量产，还需要时间进行产能、技术爬坡。
在今天举行的SEMICON China 2019先进制造论坛上，上海微电子华力微电子研发副总裁邵华发表了主题演讲，介绍了华力微电子半导体制造的新进展。据他透露的消息，今年底华力微电子将量产28nm HKC+工艺，明年底则会量产14nm FinFET工艺。
在制造工艺上，华力微电子去年底宣布量产28nm低功耗工艺，已经为联发科代工28nm低功耗芯片。
文| AI 财经 社 牛耕
编| 赵艳秋
上周，属于英特尔的王者时代“结束”了。
英伟达（Nvidia）市值首次超越英特尔（Intel），成为全球市值最高的芯片制造商。截止到美国时间7月10日，英伟达市值达到 257846亿美元，略高于英特尔的252050亿美元。但英伟达的市盈率约为45倍，大幅度高于英特尔的12倍，也标志着投资者对英伟达前景的乐观情绪。
不同于英特尔提供的CPU，英伟达提供的是GPU（图形处理器）。严格说，英伟达是长在英特尔生态中的，英伟达的产品需要英特尔的CPU才能工作。为什么在英特尔生态中长出的企业，市值会反超英特尔？
拖累英特尔股价的首先是英特尔最近几年在制程上的落后。芯片企业比拼的是制程，英特尔提出的摩尔定律，其实就是制程的比拼。制程越先进，芯片性能越高，功耗还越低。
在2015年发布14nm制程芯片前，英特尔的制程都领先于台积电、三星等企业。但此后，台积电、三星等为AMD代工的芯片厂开发出7nm制程，而英特尔仍停留在14nm时代，使“14nm+++”成为英特尔的一个段子。直到2020年，英特尔才规模推出10nm制程芯片。而此时，台积电和三星已经直奔5nm制程了。
在2020年3月的摩根士丹利会议上，英特尔CFO George Davis 公开承认了英特尔制造工艺落后：“英特尔目前处在10nm制程时代，直到2021年底生产出7nm节点之前，英特尔不会达到与竞争对手同等的工艺水平。”
至于落后的原因，英特尔在Architecture Day曾详细透露过：
首先英特尔在10nm制程上没有选择EUV（极紫外光刻）的技术路线，而是继续上一代的ArF DUV（深紫外光刻）。此外，英特尔在10nm制程并未按照摩尔定律把晶体管密度提高到2倍，而是更为激进地提高了27倍。不过，英特尔也表示，他们的7nm和10nm制程是并行的，并会在7nm转入EUV技术。
值得一提的是，由于台积电和三星目前提到的10nm、7nm制程，与之前制程的概念有不同，因此英特尔并不像数字代表的那样落后。按照晶体管密度，英特尔10nm制程是1008亿/平方毫米，而2019年台积电推出的7nm+、2020年三星推出的7nm制程才超过1亿/平方毫米，因此一般认为，英特尔10nm制程与台积电和三星的7nm+同代。
对于英特尔的制程问题，高盛分析师Toshiya Hari很早就表示：“我们看到英特尔在10nm工艺上遇到难题，可能会影响其市场份额。”截至2019年Q4，根据市场调研机构Mercury Research的数据，在X86架构CPU市场上，英特尔仍占有844%份额，AMD为155%，两者相差54倍，但相比一年前的7倍已缩小了很多差距。
一位接近英伟达和英特尔的人士对AI 财经 社分析，实际上，英伟达的营收相比英特尔还是小很多，只有英特尔的七分之一略多一点。但是AI、自动驾驶等概念，推动他的市值高涨。而据《巴伦周刊》报道，英伟达被看好的重要原因是：分析师预计，从2020年Q2开始，英伟达的数据中心业务将超过消费显卡业务，全年预计数据中心业务销售额为65亿美元，而消费显卡业务销售额为61亿美元。此外，分析师认为，英伟达的数据中心业务会持续超过英特尔。
在刚过去的2020年Q1，英伟达的数据中心业务实现了114亿美元收入新高，同比增长80%，远高于 游戏 业务的27%。这一方面源自英伟达去年收购的数据中心服务商Mellanox，另一方面来自英伟达新推出的Ampere架构GPU。英伟达CEO 黄仁勋表示：“英伟达可以推动当今时代最强大的技术力量——云计算和AI。”
与英特尔在CPU的地位相似，英伟达首先命名了GPU这个品类，并占到全部消费市场份额的73%。在AI时代，英伟达推出以GPU以及CUDA平台组成的生态，将 游戏 时代的优势延续到企业服务，用于企业的AI训练和推理需求，并占到图像、视频、语音和搜索用例的75%。
对于英伟达在AI市场的攻城掠地，英特尔并非无动于衷。在2019年12月，英特尔CEO Bob Swan表示：他已经没有兴趣再去追求CPU方面的市场份额了。“专注90%的CPU市场份额是英特尔错失转型机会的一个原因，它使英特尔自满，并错过了重要机会。”
英特尔新的目标是，“在全硅（All-Silicon）市场占据30%市场份额”，这包括开发Nervana神经网络处理器和Xe高性能GPU，后者是英特尔即将推出的独立显卡。此外，英特尔还希望用one API架构打通CPU、GPU和FPGA等多种AI硬件架构，这些是AI时代不可或缺的芯片。
在企业服务市场，除了GPU龙头英伟达以外，英特尔旧时的盟友——云服务商亚马逊、谷歌、微软等也在争相开发自己的AI芯片，如谷歌的TPU、亚马逊的AWS Inferentia等。英特尔还能否守住自己的芯片老大地位，在AI时代充满挑战。
自中兴、华为事件发生后集成电路的地位不断提升， 社会 与资本对集成电路产业的认识也不断加深。发展集成电路产业的初衷确实是为了实现国产替代、自主可控，虽然这种思路没错但格局着实有点狭隘。当然如果将中国集成电路产业放到实现国家战略安全的地位，对产业的认识也会更深刻一些。
顶层设计的确瞄向了国家战略安全这一方向，但落脚到这个产业中，产业和资本的高度还是无法达成统一，因为各自的诉求不同。以中微公司创始人尹志尧为代表的产业从业者固然可以做到十年磨一剑，将刻蚀设备做到全球一线水平，但狂热资本的不断涌入，更多的是看到科创板、注册制等的实施带来的短期套利空间，毕竟相比以往如今上市的门槛和难度大幅降低。
集成电路是一个技术密集型、知识密集型和资本密集型的产业，如果放到国产替代和国家安全的角度还是一个政策密集型的产业，如果将这四种重要的要素实现深度整合，当然是最理想的状态，但如果这四种要素中任何一个对集成电路产业的理解与认知出现偏差甚至误区，则会出现很大的问题，20年前的"汉芯一号"造假事件如此，武汉弘芯项目烂尾也是如此。
武汉弘芯一开始就对这个行业的理解有所误区，比如一开始就定下的不切实际的目标。武汉弘芯项目原计划投资1280亿元，主要投资目标是建成一条月产能3万片的14nm逻辑工艺生产线、月产能3万片的7nm及以下逻辑工艺生产线以及相应的晶圆级先进封装生产线，但在2017年国内最好的晶圆代工厂中芯国际刚搞定28nm HKMG工艺不久，直到2019年才在梁孟松的带领下搞定了14nm FinFET工艺。
2017年全球晶圆厂中有能力量产14nm及以下FinFET工艺的也就台积电、英特尔、三星和格芯，其中台积电和三星将技术节点推进到10nm，格芯是12nm，英特尔是14nm++ FinFET工艺，与格芯的12nm相当：
行业龙头也刚推进到14-10nm，武汉弘芯一开始就要上马14nm，就当是国内集成电路的产业基础，可能吗？
2017年国内技术达不到，资本目的不纯，政府对集成电路产业认知较浅，武汉弘芯项目如何推进？
可惜了蒋尚义的一腔热血。
武汉的集成电路产业基础还是相当薄弱，更没法与江苏和上海这两个产业集聚地相比，将之比喻为荒漠中的绿洲也不为过。
按申万行业分类，目前在A股上市的湖北半导体企业有盈方微和台基股份两家，其中台基股份主要从事大功率半导体器件的生产与销售，是一家功率半导体企业。但盈方微在湖北荆州，台基股份在湖北襄阳，均不在武汉。
在新三板上挂牌的湖北半导体企业是思存 科技 （839113OC），公司主要研发与销售多种类别的Wi-Fi模块及相关解决方案。公司在技术上得到高通的支持， 2019年营收与净利润分别达到250亿元和008亿元，业务规模与盈利能力较弱。
东芯通信（430670）是位于合肥市的一家从事LTE基带芯片研发、销售及提供解决方案的供应商，但目前由于4G网络已经成为过去，公司业绩也一落千丈，2019年营收仅有015亿元，净利润亏损012亿元，已经连续四年亏损。
过去的终究要过去。
在光模块及光芯片领域武汉具有一定优势，光迅 科技 、华工 科技 具有较强的技术实力，其中光迅 科技 是国内少有的业务涉及光芯片、光器件和光模块产业链的企业，而且公司依靠大股东烽火集团旗下的烽火 科技 ，产品可以很好的切入终端。但是在目前火热的高通量光模块领域公司相比中际旭创和新易盛有所滞后，相比已经研发出1000G光模块的华为以及Finisar等国外巨头差距更是明显：
合肥与武汉在存储器领域的竞争优势相当明显。武汉长江存储在3D NAND领域已经形成一定规模，技术上4月份推出的X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量的存储器件。技术上与海力士、三星、铠侠等差距也就1-2代，如果公司能及时推出196层甚至256层3D NAND，技术上的差距已经相当小了。另外武汉新芯（XMC）除了Nor Flash等存储器件，自有晶圆厂也可以为客户提供55nm制程的低功耗逻辑和射频等工艺。
在DRAM领域合肥长鑫实现了重大突破，公司现有产品主要有DDR4内存芯片、LPDDR4X和DDR4模组，而且在中低端消费电子领域实现商业化。不过目前三星、海力士等已经将技术延伸到DDR5，在技术上还有一代的差距。
在半导体设备领域领域，武汉精测电子和合肥芯碁微是具有代表性的企业。精测电子是从事TFT-LCD/OLED等平面显示信号测试技术研发、开发、生产与销售的企业，在平面显示信号测试领域位于国内领先水平。不过公司目前将业务向半导体检测延伸，未来公司有望形成平面显示+集成电路检测双主业格局。
合肥芯碁微主要从事以微纳直写光刻技术为核心的直接成像设备及直写光刻设备研发、制造及销售，但目前公司的直写光刻机主要用于PCB，在平面显示领域有一定布局。由于技术自身局限，合肥芯碁微的直接成像技术还不能很好的应用于硅基半导体器件深亚微米节点的制造。
综上所述，从目前集成电路产业布局来看，除了长江存储和合肥长鑫的存储器件，武汉和合肥的集成电路产业发展水平总体逊于江苏和上海，但以光迅 科技 为代表的光模块企业、以精测电子、合肥芯碁微为代表的设备制造企业在个别领域具有一定规模。
除了合肥长鑫，合肥的集成电路产业亮点不多，但如果从产业链布局来看，合肥的产业基础要略好于武汉。
集成电路产业链主要分为设计、制造和封测，目前武汉和合肥在设计领域存在明显短板。武汉昊昱微电子是从事功率半导体及模拟半导体设计的企业，公司基于CMOS、BiCMOS、BCDMOS等工艺开发了HYM533低功耗8位四路DAC、音频功放IC等器件；合肥比较具有代表性的设计企业有合肥芯谷微电子、合肥恒烁半导体等设计企业，而且这些企业由"最牛风投机构"合肥市政府投资，部分设计企业颇具特色，但相比圣邦股份、兆易创新等企业，差距太明显。
在封测领域合肥的基础要好得多，而武汉则一片空白。封测领域合肥目前拥有合肥合晶和合肥速芯两家封测企业，其中成立于2000年的合肥合晶覆盖TO、SOT和DIP封装技术；成立于2018年12月的合肥速芯是集成电路行业咨询公司摩尔精英旗下封测企业，拥有QFN、BGA、SiP等封装技术：
当然合肥速芯的竞争力还来自于摩尔精英在集成电路行业中的资源整合能力，这一点可能是合肥合晶所不拥有的。
在制造领域武汉和合肥均有晶圆厂，其中合肥长鑫和长江存储各有一座300mm晶圆厂，主要是这两家企业均采用了IDM模式，这也是三星和海力士等存储器龙头的典型模式。除此以外PowerChip和XMC（武汉新芯）分别在合肥和武汉拥有一座300mm晶圆厂，产能较小，而且主要以成熟节点为主。
合肥集成电路产业的优势是打通了设计、制造和封测，武汉虽然有武汉新芯这样的晶圆代工厂，但封测还有短板。
当然在光模块等领域武汉有独特的竞争优势。
有人曾将中国半导体投资者归纳为无知者无畏型、无耻者无畏型和既无知又无耻型三类，其中无知者无畏型主要是地方政府，出于各种目的往往会出现"义和团"式的"造芯运动"，典型代表就是武汉弘芯这个烂尾项目。无耻者无畏型主要是产业内企业"杠杆"式的"堵芯"，怀着撞大运的心理借着主业的成功赌博式发展集成电路这个副业。既无知又无耻型就是那些暴躁狂热的资本，他们对产业规律视而不见，搞跨界投机式的"骗芯"。
一级市场如此，二级市场同样炒作投机之风盛行，最典型的就是中芯国际上市前后的炒作以及半导体板块的暴涨暴跌，让一众投资者吃了闷瘪。
集成电路行业是一个大投资、重积累、长周期、慢回报和高风险的行业，科创板和注册制的推出只是解决了一个资本顺利退出的通道，但产业本身特征是无法在资本加持下能改变的，如果只是抱着投机甚至赌或骗的心态闷头扎入集成电路行业，可能自己怎么没的都不知道。
65nm制程的SoC芯片设计及流片成本2850万美元，16nm的设计及流片费用高达106亿美元，足可以让很多中小型设计企业倒闭好多次了。
iPhone6S已发售蛮长事件了，相信大家都已经买到心仪的爱机了，但是此次iPhone 6S和iPhone 6S Plus配备A9处理器有两个生产商，分别是：三星Samsung 和台积电TSMC。虽然同样是苹果A9处理器，来自两个生产商的A9处理器性能和耗电量并不一样，目前网络上大家的测试结果是台积电的更好一些，那么问题来了，究竟你买的那台iPhone 6S、6S Plus 是用哪种A9处理器？
这里分享一个比较简单容易的方法：
1 进入 App Store 下载 Battery Memory System Status Monitor
2 打开这个 app 后，按下 “Syetem” 一项
3 看看显示出来的 Model 是甚么：
N66mAP：iPhone 6S Plus，配备 台积电TSMC 生产的 A9 处理器
N66AP ：iPhone 6S Plus，配备 三星Samsung 生产的 A9 处理器
N71mAP：iPhone 6S，配备 台积电TSMC 生产的 A9 处理器
N71AP：iPhone 6S，配备 三星Samsung 生产的 A9 处理器
最后分享一篇网上找的关于2个厂商芯片的差异文章，给那些纠结这个问题的朋友看看也许可以解惑。
三星和台积电共同代工A9芯片让苹果得以在应用最先进制造工艺的同时，又能保证手机主芯片的庞大供应量，然而芯片的复杂制造技术也让给这种分享代工的模式带来了麻烦。
14nm VS 16nm：谁更先进？
一直以来，大众对芯片制造工艺的印象都停留在“纳米线宽”的层面上。从上世纪的微米级工艺到现在的接近个位数纳米级工艺，每一代制造工艺进步的最明显特征就是线宽缩小。一般来说，工艺进步一代则线宽缩小为原来的约07倍，例如90nm到65nm再到45nm。两代工艺之间还往往存在着半代工艺的过渡，例如90nm到80nm就是进化半代，32nm到28nm也是半代改进。
从表面上看，线宽越窄的工艺应该是越先进的，这也符合人们的直觉印象。然而事实情况却要复杂得多。首先，工艺的技术水平评价参数很多，线宽只是其中较为重要的一个指标。比较典型的，影响同晶体管规模下芯片面积的指标就细分为晶体管栅极间距和内部互联最小间距，而不同的芯片工厂的同代工艺在这两个重要指标上一般都不相同。
另外，晶体管制造技术不断进化，是否使用最新的晶体管技术（例如FinFET鳍式场效应晶体管）来减少漏电率、增强晶体管性能，也是区分不同代工厂工艺水平的重要因素。
综合来说，Intel的制造工艺一直处于业界标杆地位，比台积电、三星等对手的同代工艺通常领先半代之多—也就是说，Intel 32nm工艺的综合实力就能达到台积电28nm工艺的层次，甚至可能更强。此外，每家芯片工厂的同代工艺也会细分为几个发展阶段，例如台积电的28nm技术就分为低功耗版和高性能版，后者是在前者发展成熟后才推出，性能也更强一些。
从上图可以看出，Intel 14nm工艺的实现面积是最小的，台积电16nm只比前者的22nm略小。
今年三星和台积电先后量产14nm和16nm FinFET工艺，表面上看提前半年量产的三星做到了更小的线宽，技术实力更强，但虽然三星的工艺实现的芯片面积会小一些，性能却不见得更好。
三星的14nm分为LPE低功耗版和LPP性能优化版两个阶段，目前后者尚未大规模量产，因此无论是三星自家的Exynos 7420还是为苹果代工的A9都在使用LPE版本。遗憾的是这个版本的性能（主要是同频率下的功耗或者同功耗下能达到的频率）要比LPP落后接近10%，且良率、稳定性皆没有太好的水平。
从7420的情况来看，三星的LPE工艺不同批次之间都有可度量的差异，且批次数量有六七种，实在不值得夸耀。相比之下台积电对自家的技术相当满意，甚至在内部讨论会上明确表示自家16nm工艺比对手三星“最先进的工艺都强10%”。倘若台积电指的是三星尚未规模出货的LPP版本，那就意味着前者的16nm工艺性能要比后者的14nm LPE强近20%，同频率下功耗低10%～15%，已经是很大的差距了。即使考虑到台积电的宣讲有夸大因素，其16nm技术强于现阶段的三星14nm也是几乎可以确定的事实了。
不同版本的A9实际表现相差多大？
然而，芯片的性能、功耗等指标并不是单由制造工艺来决定的。苹果作为A9芯片的设计方，可以通过一些手段来抚平两种工艺下不同版本芯片的各项指标差异。ChipWorks的拆解测量表明台积电代工的A9芯片面积仅比三星版本多出不足10%，对于手机设计的影响可以忽略。但更令消费者关心的指标是芯片的性能与功耗表现。最近很多用户使用各种手段对比了两个版本iPhone 6s的性能、功耗水平，结果一边倒地有利于台积电。那么，这些民间测试的参考价值有多大呢？
