分析：用1K×4位的RAM芯片构成2K×8位的存储器，1K×4位构成2K×8位单用字扩展或者单用位扩展无法解决问题，要字扩展和位扩展同时进行。画出CPU和存储芯片的连接图如下图：
1KB=2^10B，2KB=2^11B
扩展资料：
存储信息一般是存储在存储器（ROM、RAM）上的 。
在实际应用中，经常出现一片ROM或RAM芯片不能满足对存储器容量需求的情况，这就需要用若干片ROM或RAM组合起来形成一个存储容量更大的存储器。而组合方式有字扩展和位扩展两种。
用多片位宽相同的存储器（ROM或RAM）芯片扩展包含更多存储器的过程。一般是在每个字的位数够而字的数目不够时使用。
生产的存储器芯片容量有限，在字数或字长方面与实际存储器要求有所差距，所以要在字向与位向两方面进行扩充，才能满足实际存储器的要求。
cpu对存储器进行读写操作时，首先由地址总线给出地址信号，然后再发出有关进行读操作与写操作的控制信号，最后在数据总线上进行信息交换。
把用位数较少的多片存储器（ROM或RAM）组合成位数更多的存储器的扩展方法。位扩展只是扩展的位数。
-位扩展
-字扩展
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM有两种，一种是不带窗口的，其特性和PROM类似，在专用编程器上只能写入一次，如果写错了，芯片只能报废，这种芯片在各种显卡、声卡和以前的解压卡上都能见到（如^10030901c^所示就是S3375显卡上的这种EPROM芯片）。另一种EPROM是指带窗口的EPROM（也是我们大家常见的那种），这种EPROM芯片有一个很明显的特征：在正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，一旦紫外线透过该孔照射内部芯片，就可以擦除其中的数据。当然，完成芯片擦除的操作也可以用专门的EPROM擦除器（^10030901d^）。要向EPROM内写入资料必须用专门的编程器，同时必须要加一定的编程电压（范围在12V～24V，随不同的芯片型号而定）。EPROM的型号是以27开头的，如^10030901e^所示的27C020（8×256K）是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到紫外线照射而使资料受损。
4EPROM虽然已具备了可重复写入的能力，但要借助EPROM擦除器和专用编程器进行擦除和写入程序，很不方便。这时，EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）（^10030901f^）应运而生了。EEPROM的擦除不需要借助其他设备，它是用电子信号来修改内容的，而且是以Byte为最小修改单位，写入数据时不必将内部资料全部洗掉，而且只要通过厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写芯片内部的内容，彻底摆脱了EPROM 擦除器和编程器的束缚。但EEPROM属于双电压芯片，在写入数据时，仍要加一定的编程电压。正由于EEPROM芯片的双电压特性，采用该芯片的BIOS具有良好的防毒功能（当把主板上防BIOS写入的跳线开关拨至“ON”位置，并给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级BIOS；反之，把跳线开关拨至“OFF”位置，防止CIH类病毒对BIOS芯片进行非法修改），所以至今仍有不少主板采用EEPROM作为BIOS芯片。
讲到BIOS的工作原理，我们先来介绍一下BIOS系统的两类载体：EPROM和EEPROM的相关知识。EPROM——可擦除可编程只读存储器，从外观上可以看见，在芯片的中央有一个透明的小窗口，紫外线光即是通过这个小窗口将芯片上保存的信息擦除掉的，因为在日光和荧光中都含有紫外线，因此，我们通常用一块不透明的标签将已保存了信息的EPROM芯片的紫外线窗口封住。当然，写入EPROM芯片时，我们首先必须先用紫外线擦除器将EPROM中的信息清除掉，使它变为空的芯片后才能进行写操作，应该说明的是这里“空芯片”的“空”并非我们通常意义上的“空白”，而是此时芯片内部变为全“1”信息，因此，芯片的写入原理实际上是将指定位置上的“1”改为“0”。到这里，有的朋友一定想问：既然日光和荧光均含有紫外线，为什么我们不让EPROM芯片在这些光线下暴露一段时间来擦除呢？要知道，完全擦除一块EPROM中的内容，在日光下至少要一周，在室内荧光下至少要三年了！而且随着芯片容量的增大，时间也得相应拉长。EEPROM是电可擦除可编程只读存储器。在平常情况下，EEPROM与EPROM一样是只读的，需要写入时，在指定的引脚加上一个高电压即可写入或擦除，而且其擦除的速度极快！通常EEPROM芯片又分为串行EEPROM和并行EEPROM两种，串行EEPROM在读写时数据的输入／输出是通过2线、3线、4线或SPI总线等接口方式进行的，而并行EEPROM的数据输入／输出则是通过并行总线进行的。另外还有一种EEPROM即是我们现在主板上常见到的FLASH ROM——闪速存储器，其读写速度更快，更可靠，而且可以用单电压进行读写和编程，为便携式设备的在线操作提供了极大的便利，也因此广泛应用 扑慊�靼迳稀br> 通常，486以及486档次以下电脑的BIOS芯片基本上均是EPROM芯片，而586以及PⅡ、PⅢ档次的BIOS芯片基本上均是EEPROM。另外我们也可以从BIOS芯片上的型号来识别：像27C010、27C512等以“27”打头的芯片均是EPROM，而28C010、29C010、29C020、29C040等，均为EEPROM，其中28C010是128K×8，即1M比特并行EEPROM，29C010是128K×8（1M比特）、29C020是256K×8（2M比特）、29C040是512K×8（4M比特）的FLASH ROM。串行EEPROM在计算机主板上较少见，而提供这些芯片的厂家多为MX、WINBOND、ATMEL等厂家。应注意的是：不同厂家生产的芯片命名方式不同。以上介绍的芯片是以ATMEL公司的产品为例。
按照存储信息的不同，随机存储器分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
静态存储单元（SRAM）
●存储原理：由触发器存储数据
●单元结构：六管NMOS或OS构成
●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache
●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大
●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)
动态存储单元（DRAM）
●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；现在：单管基本单元）
●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作
●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。
●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低
●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较DRAM慢，所以在计算机中，SRAM常用于作主存储器。
尽管如此，由于DRAM[1]存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流产品。
4G为4GB，500G为500GB，代表存储的容量。我们常常说前者，就像我们常说500块，意思就是500块钱。
其中，计算机技术中1GB=1024MB=1024×1024KB=1024×1024×1024B，现实中因为1024约等于1000，所以现实中作为买卖的商品，其标准的1GB是这样：1GB=1000MB=1000×1000×1000B，所以500GB的硬盘实际容量为500000000000/(102410241024)，即真实意义的460多GB。
解释一下作为最底层的B，其含义如下：1B=8b，1b为一个空间，只能存储0或1（计算机为2进制，用一连串的0或1来表达含义，不知道你对黑客帝国的片头有没有印象，就是满屏的0和1），8个b合到一起，有关机构规定：这构成最短的一个表示意义的单位，称为1B（1Byte，翻译成汉语是1字节）比如我们自己规定00001001=h，00011100=a，那么00001001 00011100连起来就是ha，大体上这么理解就可以了。
电脑配置中的4G，指的是内存条的容量。特点是速度快，成本高。相当于柜台。
500G指的是硬盘的容量。硬盘是存储数据的。特点是速度慢，容量大。相当于仓库。
内存的作用是一个缓冲平台，因为作为数据处理的cpu（相当于售货员），处理能力十分之强，比如说，cpu一次能处理1000个数据，但是硬盘一次只能供给50个数据，而内存则能一次送达500个数据，所以硬盘就源源不断地将数据送到内存中，而内存不断地将数据送达到cpu中。
rom ram可以理解为存储器的不同制作工艺。其特性是不同的，成本是不同的。大体区别如下：
rom是只读存储器，读是读取数据/写入数据的意思，在断电后也能存储。硬盘就是这样。
ram为随机存储器，断电后数据就消失。内存就是ram工艺。
