http://jingyanbaiducom/article/2f9b480d4edaef41ca6cc254html
方法/步骤
要想学会识别内存真假，首先要学会认识产品标签。
M379B5273DHO-YKO
M：M=memory
3：3=DIMM 台式机内存
79：台式机黑条
B：B=DDR3
52=DEPTH 2Gb7=8bank 15V3=8 bitD=30nm制程H=FBGA封装无铅无汞0=PCB版本 0为初版
Y=135V低电压，K0=DDR3-1600
这个笔记本内存条竟然翻译出台式内存黑条是不是很搞笑。
这个是从三星下载的表格，红色框中表示与你这个编号最为相近的颗粒，同样表明该型号内存需要16颗256m的颗粒才能组成单根4G的内存条。这个内存与贴纸的型号是不符的，所以是假货
那是不是8颗粒的4GB内存都是假货呢？不是的，其实8颗粒的4G内存条是可以做出来的。这个才是真正的8颗粒的4G内存，规格是1333，型号为M471B5273DM0-CH9跟前面的标号相比，首先是YK0和CH9的差别，这个没关系，前者是1600，后者是1333，前者是135V，后者是15V，对于说明是8颗粒还是16颗粒毫无帮助。而对比前面一堆数字，发现，几乎基本一样，唯一的差别就是倒数第二个数字，前者是H，而这条真的是M参考上面DATASHEET中的解释，M和H的区别就是M引入了一个DDP的概念这个DDP是Dual Die Package的缩写，简单理解就是双核心封装，其实就是双核。而这个双核应该是基于DIE的真双核，而不是基于chip的胶水双核。所以使用了DDP技术的颗粒应该在长宽尺寸不变的情况下，在芯片的厚度上有所增加，但是是基于die的堆叠，因此厚度也不会超过太多。所以其实，这1颗储存芯片，实际上采用的是256MB（2Gb）2的技术。因此单颗512MB8=4GB完美对应。OK，这条才是真的8颗粒4G，关键在于那个M，本人总结：M471B5273DM0-CH9，规格是1333的8颗粒的4G内存倒数第二个数字一定是M，不是的话，就是假的，如果是1600的规格的话除外，比如原装内存编号为M471B5273DH0-CK0（KO：DDR3 1600）
真正的8颗粒4G1333的颗粒编号为K4B4G0846D，这是一种采用DDP技术的单颗4Gb D型核心的颗粒，单颗规格为512M8其实理解成（256M8）2更合适。
下面看下上传的水货条的颗粒。可以说，这个颗粒跟我常见的三星内存颗粒完全不同，常见怎么样的，见右边的原装内存。这条假的颗粒为K4B4G0846E和正常的颗粒的差别在于最后一个E，这个E是代表一种Die的封装形式。不过从编号上看是没有问题的。哦，还有个MCK0好吧，M代表的是DDP，CK0可以理解成1600从颗粒来看，这个条子似乎也满足4G的容量。但是三星颗粒下面是不会有256M8DDR3 K的字样不过我没有测试到这种假的条子，所以256M8DDR3 到底是按单颗256MB8颗粒=2GB，还是还要算上DDP的2倍系数就不得而知了。
这是一条现在能买到的黑条产品，型号为M473B5273DH0-YK0其实后缀的YK0很好解释，Y=135V低电压，K0=DDR3-1600令很多本友感到不解的地方就是为何M4后面跟的代码是73而不是金条上的71由于官网上下载的ddr3_product_guide_jan_12-0pdf也就是12年1月最新版的DDR3技术手册下载后提示无法打开，因此，无法从官方定义的角度来解释，而早期的技术手册经查也没有对于73的解释。所以这个73被官方定义成什么，尚且不清楚。但是可以从产品的版型和颜色可以得出结论，73是代表窄版的黑条，而台式机黑条这里被定义成79而不是普通金条的78由于暂时缺少官方的解释，所以这里就只能自己猜一下了。不过问题不大，毕竟黑条的型号还是很统一的，貌似也没有小改变出来，所以认准了型号就行了。至于黑条假货，个人觉得大可以放心。黑条也算是中高端的内存，虽然性价比真不咋地。而且是屈指可数的低电压，窄版节能内存。因此对于制假者来说，要开一条生产这种内存的生产线代价是非常高的。一来PCB不好搞，而来制假成本太大，及时做出来了，利润也有限。所以，可以大胆的购买黑条。而唯一要注意的是有可能JS把40nm的条子换标贴后当30nm的卖。
那如何区分40nm和30nm其实看颗粒是最好的办法。不过由于黑条的密封性，使得无法从正面直接观察到颗粒型号。那这里是否给JS可乘之机了呢。
如图，即使是正面也能够在PCB上侧面找到烫金的字符。这串字符与标贴型号完全一致，只不过少了YK0的后缀。而关键是DH0中的D，代表了就是30nm如果是40nm黑条的话，这里的字符就完全不同。
首先40nm的黑条的后缀是CH9，C代表15v电压，说明40nm的黑条不是低电压的。H9表明速度是1333的。放大后，在左侧也能够看见烫金的字，M473B5273CH0，而不是30nm的DH0，所以这就比较容易分辨了。此外，颗粒上没有被标贴覆盖部分的字样也是可以识别的，比如30nm的颗粒顶部右侧有HYK0的字样，而40nm版的则为HCH9
此外，三星内存上都有SAMSUNG的字样，这个也是能够分辨的。黑条的做工印刷PCB都是很优秀的，并非山寨小厂可以模仿的来。不排除将来会有假黑条充斥市场，但是就现在来说，还是比较安全的。不过买的时候也要提高警惕。
怎样看外表辨别内存条的大小
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒
目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为75ns (CL=3)；7C为75ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Micron内存颗粒
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表25V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
西门子内存颗粒
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-75——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-75的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-75的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
Kingmax内存颗粒
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=33V,U=25V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100
市场上平时叫：三星ddr3 1333频率。
普通内存命名规则：
一、DDR SDRAM：
现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=33V & VDDQ=25V；U：VDD=25V & VDDQ=25V；W：VDD=25V & VDDQ=18V；S：VDD=18V & VDDQ=18V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。
二、DDR2 SDRAM：
DDR2 SDRAM作为一种已经在显卡领域得到尝试性应用，并将很快成为主机内存设备的产品，现在在市场中还并不多见，但对于下半年，以至于未来几年内存市场的主打型号，消费者还是有必要对其进行一定了解的。更何况，由于此种产品的编号是从DDR SDRAM编号演变而来，所以，只要您对我们刚才提到的DDR SDRAM编号有所了解，那么辨认DDR2 SDRAM也并不是什么难事。
HYNIX DDR2 SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 - 13 14
细心的读者可以从上表发现区别，现代DDR2 SDRAM的颗粒编号，实际上要比DDR SDRAM少一位。其中原本第11位代表的『封装堆栈』被省略，而其他位编号的定义基本保持不变，只是针对新的DDR2 SDRAM颗粒的属性，增加了一些新的含义。
颗粒编号解释如下：（这里只对存在区别的部分加以说明）
2． 内存芯片类型：（5P=DDR2 SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（仅有S一种，对应参数为：VDD=18V & VDDQ=18V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（保留28、56、 12、1G四种编号；新增2G：2G 8K刷新）
7． 接口类型：（保留2=SSTL_2；而SSTL_18则变为1表示）
10． 封装类型：（F＝FBGA；S＝FBGA Stack封装；M＝FBGA DDP(Dual Die Package)）
11． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
12． 速度：（S7=DDR2-800 7-7-7；S6=DDR2-800 6-6-6；Y6=DDR2-667 6-6-6；Y5=DDR2-667 5-5-5；C5=DDR2-533 5-5-5；C4=DDR2-533 4-4-4；C3=DDR2-533 3-3-3；E4=DDR2-400 4-4-4；E3=DDR2-400 3-3-3）
算下来，有变化的部分，大概有7位，基本上都是因为技术更新，而简略了旧的规格代码，加入了新的代码定义。其中，最值得大家注意的，还是第13位的数字。现代公司对DDR2 SDRAM内存的这一位编号，进行了全新的改革。将会以S、Y、C、E这四个英文字母，分别代表DDR2的四种工作频率，依次是：800MHz、667MHz、533MHz、400MHz。而7、6、5、4、3这五个数字，显然是代表该对应内存的细节设定分别是7-7-7、6-6-6、5-5-5、4-4-4、3-3-3。
三、SDRAM：
由于现在使用SDRAM内存的用户还很多，其中还想升级现有SDRAM内存容量的用户比例更是不少，因此SDRAM内存还不会现在就退出市场。在此文的最后，我们就再返回来说说现代内存在SDRAM方面的编号设定。
其实，现代SDRAM内存的编号和DDR SDRAM同属现代DRAM类产品，因此编号都基本相同。用户只需记住编号中“－”后面的一位或两位数字，就能轻松识别现代SDRAM内存性能。现在现代SDRAM内存最这一位代码的设定，分如下几种：
5
200MHz
55
183MHz
6
166MHz
7
143MHz
K
PC133,CL=2
H
PC133,CL=3
8
125MHz
P
PC100,CL=2
S
PC100,CL=3
10
100MHz
一般在市场中，我们最长见到编号尾数为“H”的产品，即PC133且CL=3的产品，如果当用户购买的内存结尾为其他数字或字母时，最好能先依照上面列表中的数字进行比对，以免买到性能低下的内存产品。
