这个可以放心，本身内存颗粒就有正方形的和长方形的，长方形的性能比正方形的好，具体是不是三星的内存条，可以看内存条上面的铭文，还有内存颗粒上面的标号，同一品牌不同系列的内存条也可能布局不一样，不代表是假的
市场上平时叫：三星ddr3 1333频率。
普通内存命名规则：
一、DDR SDRAM：
现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=33V & VDDQ=25V；U：VDD=25V & VDDQ=25V；W：VDD=25V & VDDQ=18V；S：VDD=18V & VDDQ=18V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。
二、DDR2 SDRAM：
DDR2 SDRAM作为一种已经在显卡领域得到尝试性应用，并将很快成为主机内存设备的产品，现在在市场中还并不多见，但对于下半年，以至于未来几年内存市场的主打型号，消费者还是有必要对其进行一定了解的。更何况，由于此种产品的编号是从DDR SDRAM编号演变而来，所以，只要您对我们刚才提到的DDR SDRAM编号有所了解，那么辨认DDR2 SDRAM也并不是什么难事。
HYNIX DDR2 SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 - 13 14
细心的读者可以从上表发现区别，现代DDR2 SDRAM的颗粒编号，实际上要比DDR SDRAM少一位。其中原本第11位代表的『封装堆栈』被省略，而其他位编号的定义基本保持不变，只是针对新的DDR2 SDRAM颗粒的属性，增加了一些新的含义。
颗粒编号解释如下：（这里只对存在区别的部分加以说明）
2． 内存芯片类型：（5P=DDR2 SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（仅有S一种，对应参数为：VDD=18V & VDDQ=18V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（保留28、56、 12、1G四种编号；新增2G：2G 8K刷新）
7． 接口类型：（保留2=SSTL_2；而SSTL_18则变为1表示）
10． 封装类型：（F＝FBGA；S＝FBGA Stack封装；M＝FBGA DDP(Dual Die Package)）
11． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
12． 速度：（S7=DDR2-800 7-7-7；S6=DDR2-800 6-6-6；Y6=DDR2-667 6-6-6；Y5=DDR2-667 5-5-5；C5=DDR2-533 5-5-5；C4=DDR2-533 4-4-4；C3=DDR2-533 3-3-3；E4=DDR2-400 4-4-4；E3=DDR2-400 3-3-3）
算下来，有变化的部分，大概有7位，基本上都是因为技术更新，而简略了旧的规格代码，加入了新的代码定义。其中，最值得大家注意的，还是第13位的数字。现代公司对DDR2 SDRAM内存的这一位编号，进行了全新的改革。将会以S、Y、C、E这四个英文字母，分别代表DDR2的四种工作频率，依次是：800MHz、667MHz、533MHz、400MHz。而7、6、5、4、3这五个数字，显然是代表该对应内存的细节设定分别是7-7-7、6-6-6、5-5-5、4-4-4、3-3-3。
三、SDRAM：
由于现在使用SDRAM内存的用户还很多，其中还想升级现有SDRAM内存容量的用户比例更是不少，因此SDRAM内存还不会现在就退出市场。在此文的最后，我们就再返回来说说现代内存在SDRAM方面的编号设定。
其实，现代SDRAM内存的编号和DDR SDRAM同属现代DRAM类产品，因此编号都基本相同。用户只需记住编号中“－”后面的一位或两位数字，就能轻松识别现代SDRAM内存性能。现在现代SDRAM内存最这一位代码的设定，分如下几种：
5
200MHz
55
183MHz
6
166MHz
7
143MHz
K
PC133,CL=2
H
PC133,CL=3
8
125MHz
P
PC100,CL=2
S
PC100,CL=3
10
100MHz
一般在市场中，我们最长见到编号尾数为“H”的产品，即PC133且CL=3的产品，如果当用户购买的内存结尾为其他数字或字母时，最好能先依照上面列表中的数字进行比对，以免买到性能低下的内存产品。
这个不好比较
南亚易胜的价格比较亲民，但是它的内存颗粒也有用三星颗粒的
至于三星，肯定是用自家的内存颗粒，不过价格就比较高
内存这种东西 如果正常使用 比如1333 1600 选哪家都一样
但是如果要超频使用，那就要买质量好一些的 三星 海盗船都有超频专用内存
DDR4颗粒。金百达选择了长鑫的内存颗粒，型号为CXDQ3A8AM-CQ，这是百分百纯国产的DDR4颗粒，可以有非常不错的超频性能。随着全球芯片短缺的问题越来越严重，长鑫存储可以在这个关键时刻站出来给玩家提供性价比如此之高的产品。
