三星flip3手机壳是在2021年8月11日发布的。

因为flip3手机壳属于三星Galaxy Unpacked 系列。在8 月11日举行推出了Galaxy Fold 3 、Galaxy Flip 3 、Galaxy Buds 2 和 Watch 4 系列。

因此是在8月11日发布的

三星2021 Q2 财报显示设备解决方案业务已经成为了营业额（160亿人民币）和利润（45亿人民币）最高的业务，而半导体业务占设备解决方案整体营收（120亿人民币）的772%，利润（38亿人民币）的842%。第二季度，三星的半导体业务实现了25%的同比增长，也因此超过intel成为Q2季度销售额最高的半导体公司。

其实这并不是三星第一次在营收上超过intel，在2017年和2018年三星都力压intel成为当年营收第一的半导体厂商。

三星是全球最大的存储厂商，而存储产品则是集成电路产品占比份额最大的品类（约32%），其中DRAM和NAND则是存储产品中最重要的两种产品，而这两种产品正是支撑三星半导体业务的最主要的两大产品。DRAM占存储品类约60%。

因为电子行业的几乎所有产品都会需要存储产品，出货量极大的内存芯片与原油一样属于大宗商品。内存芯片的行价可以精准地反应供需之间的关系，可以说即便是1%的供给量变化，都可以极大程度地影响整个市场。所以这也就造就了三星在半导体市场上极大的话语权。

目前存储行业势头良好，第二季度行业实现了24%的环比增长；同为内存供应商的SK海力士和美光第二季度的销售额分别增长了21%和16%。物联网、大数据、云计算等产业的发展，对智能设备的需求在未来会保持增长的趋势。因此属于存储市场的周期，在短时间还不会过去。

众所周知的是，三星在各个产业都有布局。三星电子主要有三大业务板块，消费电子类、IT及手机通讯类、设备解决方案；其中设备解决方案包含半导体和显示屏幕两个业务单元组成。同时，因为华为被美国制裁让出了极大份额的手机市场，三星的手机市场也在疯狂扩张，而手机市场的蓬勃发展也可以极大地刺激内存市场的需求，这让三星形成了良好的商业循环。

三星集团旗下共有多达85家子公司，除了三星电子，三星电机，三星物产等公司都是三星半导体事业的可靠后盾。2019年三星年收入19万亿，这一数字超过了韩国当年的GDP1647万亿。半导体行业是对资金要求极高的行业，9月初消息称三星将会在美国耗资170亿美元建立位于美国的第二家代工厂，三星集团的强大财力对太多半导体厂商来说都是可望而不可及的。

高度依赖闪存市场的周期，2017年和2018年三星成为市场第一，两次销售额分别增长了488%和192%。这种高度增长反映了三星半导体业务的不稳定性，这也使得三星在闪存市场不景气的2019年销售额出现了197%的大幅度下降。

为了巩固自己半导体产业三星已经建立了属于自己的代工厂，财大气粗的三星在代工业也是名列前茅。

然而在代工领域，三星没有存储产品那样的绝对实力。从技术角度来看，三星的技术显然是落后于台积电的。三星曾经和台积电都在2015年为苹果代工A9处理器，由三星代工采用14nmFinFET技术的A9芯片功耗明显高于台积电用16nmFinFET技术代工的A9处理器。此后，三星为高通代工了以发热闻名的骁龙888，更是再一次暴露三星技术的短板。

可以看到，三星在代工市场营收是呈下降趋势的，赶不上台积电的同时也在承受着来自联电，中芯国际的追赶。虽然在技术方面上还是领先于中芯国际等，但三星并不领先正在进军代工市场的intel。根据intel公布的技术路线图，intel将于2024年达到2nm制程，而早前有消息称，三星预计2024年量产的3nm产线，在开发3nm GAA技术的研究进程受阻。而且就已经实现的技术来说，同为10nm制程，intel的晶体管密度是三星的两倍。

在半导体供应链安全如此紧张的情势下，韩国政府会倾一切力量去保护本国的半导体企业，更何况三星所掌握的是在整个集成电路里都举足轻重的产品。作为韩国最大的财团，三星可以说把握着韩国的经济命脉，三星乃至整个韩国的半导体产业也正是因为韩国政府的大力支持才得以在日美竞争中突出重围。

今年四月拜登政府在白宫就半导体供应链安全问题召集20多家半导体企业参与听证，其中三星与台积电是唯二两家非美国本土企业的半导体厂商，足以看出三星在半导体产业链上的重要性。韩国与美国的关系不言而喻，但韩国出口的芯片中有三分之一销往中国。以三星为代表的韩国芯片如何选择成了关键点。

在外界纷纷猜测韩国会倾向哪一边时，韩国政府似乎选择领走一条路，不依托任何力量，成为半导体强国。今年文在寅政府发布的K半导体战略，对半导体领域的税收优惠提高到原有水平的六倍，对于研发投资，政府将免去50%的税收。三星在京畿道的半导体代工厂，计划成为世界上最大的芯片生产基地。

这场看似厂商之间的竞争，早已成为了国与国之间的博弈。韩国没有选择美国，更不会选择中国。这一点，不难理解。

三星乃至整个韩国半导体的崛起，都与“逆周期投资”这一个关键词息息相关。在以intel为首的美国半导体企业与东芝为代表的日本半导体企业血雨腥风的斗争中。韩国半导体不计成本地在半导体行业投入，终于迎来了行业的回暖。

从整个产业链结构上来说，由于存储芯片标准化程度较高，只有规模生产降低成本才能赢得市占率。对于周期行业，产业链的一体化是提高抗周期能力的重要因素，所以存储芯片厂的设计和制造最好可以紧密结合。这一点在国内的存储厂商的发展历程也可以得到印证。没有自己的制造线的紫光国微最终放弃了存储器业务，而采用IDM的合肥长鑫的19nm DDR4内存芯片良率已经达到75%，2020年第12英寸晶圆厂已经达到4万片/月产能。

逆周期并不意味着违背市场规律，从1984年到1987年，三星承受着接近1200亿韩元的亏损发展半导体业务，事实证明了三星的坚持是正确的。

而因为DRAM市场后来者太多，选择停止研发并退出DRAM市场的intel，在看到当下的三星时，心中又作何感想，或许也只有摩尔本人知道了。

三星周四表示，它有望在本季度（即未来几周内）使用其 3GAE （早期 3 纳米级栅极全能）制造工艺开始大批量生产。该公告不仅标志着业界首个3nm级制造技术，也是第一个使用环栅场效应晶体管（GAAFET）的节点。

三星在财报说明中写道：“通过世界上首次大规模生产 GAA 3 纳米工艺来增强技术领先地位 。”（Exceed market growth by sustaining leadership in GAA process technology,adopt pricing strategies to ensure future investments, and raise the yield and portion of our advanced processe）

三星代工的 3GAE 工艺技术 是该公司首个使用 GAA 晶体管的工艺，三星官方将其称为多桥沟道场效应晶体管 (MBCFET)。

三星大约在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 节点。三星表示，该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度（包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合）。不过，三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。

理论上，与目前使用的 FinFET 相比，GAAFET 具有许多优势。在 GAA 晶体管中，沟道是水平的并且被栅极包围。GAA 沟道是使用外延和选择性材料去除形成的，这允许设计人员通过调整晶体管通道的宽度来精确调整它们。通过更宽的沟道获得高性能，通过更窄的沟道获得低功耗。这种精度大大降低了晶体管泄漏电流（即降低功耗）以及晶体管性能可变性（假设一切正常），这意味着更快的产品交付时间、上市时间和更高的产量。此外，根据应用材料公司最近的一份报告，GAAFET 有望将cell面积减少 20% 至 30% 。

说到应用，它最近推出的用于形成栅极氧化物叠层的高真空系统 IMS（集成材料解决方案）系统旨在解决 GAA 晶体管制造的主要挑战，即沟道之间的空间非常薄以及沉积多晶硅的必要性。在很短的时间内在沟道周围形成层栅氧化层和金属栅叠层。应用材料公司的新型 AMS 工具可以使用原子层沉积 (ALD)、热步骤和等离子体处理步骤沉积仅 15 埃厚的栅极氧化物。高度集成的机器还执行所有必要的计量步骤。

三星的 3GAE 是一种“早期”的 3nm 级制造技术，3GAE 将主要由三星 LSI（三星的芯片开发部门）以及可能一两个 SF 的其他 alpha 客户使用。请记住，三星的 LSI 和 SF 的其他早期客户倾向于大批量制造芯片，预计 3GAE 技术将得到相当广泛的应用，前提是这些产品的产量和性能符合预期。

过渡到全新的晶体管结构通常是一种风险，因为它涉及全新的制造工艺以及全新的工具。其他挑战是所有新节点引入并由新的电子设计自动化 (EDA) 软件解决的新布局方法、布局规划规则和布线规则。最后，芯片设计人员需要开发全新的 IP，价格昂贵。

外媒：三星3nm良率仅有20%

据外媒Phonearena报道，三星代工厂是仅次于巨头台积电的全球第二大独立代工厂。换句话说，除了制造自己设计的 Exynos 芯片外，三星还根据高通等代工厂客户的第三方公司提交的设计来制造芯片。

Snapdragon 865 应用处理器 (AP) 由台积电使用其 7nm 工艺节点构建。到了5nm Snapdragon 888 芯片组，高通回到了三星，并继续依靠韩国代工厂生产 4nm Snapdragon 8 Gen 1。这是目前为三星、小米、摩托罗拉制造的高端 Android 手机提供动力的 AP。

但在 2 月份，有报道称三星 Foundry 在其 4nm 工艺节点上的良率仅为 35%。这意味着只有 35% 的从晶圆上切割下来的芯片裸片可以通过质量控制。相比之下，台积电在生产 4nm Snapdragon 8 Gen 1 Plus 时实现了 70% 的良率。换句话说，在所有条件相同的情况下，台积电在同一时期制造的芯片数量是三星代工的两倍。

这就导致台积电最终收到高通的订单，以构建其剩余的 Snapdragon 8 Gen1 芯片组以及 Snapdragon 8 Gen 1 Plus SoC。我们还假设台积电将获得制造 3nm Snapdragon 8 Gen 2 的许可，即使高通需要向台积电支付溢价以让该芯片组的独家制造商在短时间内制造足够的芯片。

尽管三星最近表示其产量一直在提高，但《商业邮报》的一份报告称，三星 3nm 工艺节点的产量仍远低于公司的目标。虽然三星代工厂的全环栅极 (GAA) 晶体管架构首次推出其 3 纳米节点，使其在台积电（台积电将推出其 2 纳米节点的 GAA 架构）上处于领先地位，但三星代工厂在其早期 3 纳米生产中的良率一直处于10% 至 20%的范围 。

这不仅是三星需要改进的极低良率，而且比 Sammy 在 4nm Snapdragon 8 Gen 1 中所经历的上述 35% 良率还要糟糕。

Wccftech 表示，据消息人士称，三星将从明年开始向客户发货的 3nm GAA 芯片组的第一个“性能版本”实际上可能是新的内部 Exynos 芯片。据报道，三星一直在为其智能手机开发新的 Exynos 芯片系列，但现阶段尚不清楚它们是否会使用 3nm GAA 工艺节点制造。

台积电和三星很快就会有新的挑战者，因为英特尔曾表示，其目标是在 2024 年底之前接管行业的制程领导地位。它还率先获得了更先进的极紫外 (EUV) 光刻机。

第二代 EUV 机器被称为High NA 或高数值孔径。当前的 EUV 机器的 NA 为 033，但新机器的 NA 为 055。NA 越高，蚀刻在晶圆上的电路图案的分辨率就越高。这将帮助芯片设计人员和代工厂制造出新的芯片组，其中包含的晶体管数量甚至超过了当前集成电路上使用的数十亿个晶体管。

它还将阻止代工厂再次通过 EUV 机器运行晶圆以向芯片添加额外的功能。ASML 表示，第二代 EUV 机器产生的更高分辨率图案将提供更高的分辨率将使芯片特征小 17 倍，芯片密度增加 29 倍。

通过首先获得这台机器，英特尔将能够朝着从台积电和三星手中夺回制程领导地位的目标迈出一大步。

台积电3nm投产时间曝光

据台媒联合报报道，在晶圆代工三强争霸中，台积电和三星在3纳米争战，始终吸引全球半导体产业的目光。据调查，一度因开发时程延误，导致苹果新一代处理器今年仍采用5纳米加强版N4P的台积电3纳米，近期获得重大突破。台积电决定今年率先以第二版3纳米制程N3B，今年8月于今年南北两地，即新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片，正式以鳍式场效电晶体（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极（GAA）制程。

据台积电介绍，公司的3纳米（N3）制程技术将是5纳米（N5）制程技术之后的另一个全世代制程，在N3制程技术推出时将会是业界最先进的制程技术，具备最佳的PPA及电晶体技术。相较于N5制程技术，N3制程技术的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。N3制程技术的开发进度符合预期且进展良好，未来将提供完整的平台来支援行动通讯及高效能运算应用，预期2021年将接获多个客户产品投片。此外，预计于2022下半年开始量产。

而如上所述，晶圆18厂将是台积电3nm的主要生产工厂。资料系那是，台积电南科的Fab 18是现下的扩产重心，旗下有P1 P4共4座5纳米及4奈厂，以及P5 P8共4座3纳米厂，而P1 P3的Fab 18A均处于量产状态，至于P4 P6的Fab 18B厂生产线则已建置完成，而Fab 18B厂，即3纳米制程产线，早在去年年年底就已开始进行测试芯片的下线投片。

在芯片设计企业还在为产能“明争暗斗”的时候，晶圆制造领域又是另外一番景象。对晶圆制造厂来说，眼下更重要的是3nm的突破。谁率先量产了3nm，谁就将占领未来晶圆制造产业的制高点，甚至还会影响AMD、英伟达等芯片巨头的产品路线图。

毫无疑问，在3nm这个节点，目前能一决雌雄的只有台积电和三星，但英特尔显然也在往先进制程方面发力。不过从近日的消息来看，台积电和三星两家企业在量产3nm这件事上进行的都颇为坎坷。Gartner 分析师 Samuel Wang表示，3nm 的斜坡将比之前的节点花费更长的时间。

近日，一份引用半导体行业消息来源的报告表明，据报道，台积电在其 3nm 工艺良率方面存在困难。消息来源报告的关键传言是台积电发现其 3nm FinFET 工艺很难达到令人满意的良率。但到目前为止，台积电尚未公开承认任何 N3 延迟，相反其声称“正在取得良好进展”。

众所周知，台积电3nm在晶体管方面采用鳍式场效应晶体管（FinFET）结构，FinFET运用立体的结构，增加了电路闸极的接触面积，进而让电路更加稳定，同时也达成了半导体制程持续微缩的目标。其实，FinFET晶体管走在3nm多多少少已是极限了，再向下将会遇到制程微缩而产生的电流控制漏电等物理极限问题，而台积电之所以仍选择其很大部分原因是不用变动太多的生产工具，也能有较具优势的成本结构。特别对于客户来说，既不用有太多设计变化还能降低生产成本，可以说是双赢局面。

从此前公开数据显示，与5nm芯片相比，台积电3nm芯片的逻辑密度将提高75%，效率提高15%，功耗降低30%。据悉，台积电 3nm 制程已于2021年3 月开始风险性试产并小量交货，预计将在2022年下半年开始商业化生产。

从工厂方面来看，中国台湾南科18厂四至六期是台积电3nm量产基地。客户方面，从上文可以看出，英特尔、苹果、高通等都选择了台积电。大摩分析师Charlie Chan日前发表报告称，台积电在2023年的3nm芯片代工市场上几乎是垄断性的，市场份额接近100%。

不同于台积电在良率方面的问题，三星在3nm的困难是3 纳米GAA 制程建立专利IP 数量方面落后。据南韩媒体报道，三星缺乏3 纳米GAA 制程相关专利，令三星感到不安。

三星在晶体管方面采用的是栅极环绕型 (Gate-all-around，GAA) 晶体管架构。相比台积电的FinFET晶体管，基于GAA的3nm技术成本肯定较高，但从性能表现上来看，基于GAA架构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，满足一定的珊极宽度要求，可以表现为同样工艺下，使用GAA架构可以将芯片尺寸做的更小。

平面晶体管、FinFET与GAA FET

与5nm制造工艺相比，三星的3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。三星在去年6月正式宣布3nm工艺制程技术已经成功流片。此外，三星还曾宣布将在 2022 年推出 3nm GAA 的早期版本，而其“性能版本”将在 2023 年出货。

目前，在工厂方面，此前有消息称三星可能会在美国投资170亿美元建设3nm芯片生产线。在客户方面，三星未有具体透露，但曾有消息称高通、AMD 等台积电重量级客户都有意导入三星 3nm 制程，但介于上述提到的韩媒报道高通已将其3nm AP处理器的代工订单交给台积电，三星3nm客户仍成谜。

在Pat Gelsinger于去年担任英特尔CEO之后，这家曾经在代工领域试水的IDM巨头又重新回到了这个市场。同时，他们还提出了很雄壮的野心。

在本月18日投资人会议上，英特尔CEO Pat Gelsinger再次强调，英特尔2nm制程将在2024年上半年可量产，这个量产时间早于台积电，意味2年后晶圆代工业务与台积电竞争态势会更白热化。

虽然在3nm工艺方面，英特尔没有过多的透露，但是Digitimes去年的研究报告分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商在相同命名的半导体制程工艺节点上的晶体管密度问题，并对比了各家在10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶体管密度情况。

在工厂方面，英特尔曾强调将斥资800亿欧元在欧洲设厂，英特尔德国负责人Christin Eisenschmid受访时透露，将在欧洲生产2nm或推进更小的芯片。英特尔将2nm作为扩大欧洲生产能力的重要关键，以避免未来在先进技术竞争中落后。

总的来说，在3nm节点，台积电、三星和英特尔谁会是最后的赢家可能只有交给时间来判定，但从目前情势来看，台积电或略胜一筹。

3nm已经到了摩尔定律的物理极限，往后又该如何发展？这已经成为全球科研人员亟待寻求的解法。目前，研究人员大多试图在晶体管技术、材料方面寻求破解之法。

上述三星在3nm制程中使用的GAA晶体管就是3nm后很好的选择，GAA设计通道的四个面周围有栅极，可减少漏电压并改善对通道的控制，这是缩小工艺节点时的关键。据报道，台积电在2nm工艺上也将采用GAA晶体管。

纳米线是直径在纳米量级的纳米结构。纳米线技术的基本吸引力之一是它们表现出强大的电学特性，包括由于其有效的一维结构而产生的高电子迁移率。

最近，来自 HZDR 的研究人员宣布，他们已经通过实验证明了长期以来关于张力下纳米线的理论预测。在实验中，研究人员制造了由 GaAs 核心和砷化铟铝壳组成的纳米线。最后，结果表明，研究人员确实可以通过对纳米线施加拉伸应变来提高纳米线的电子迁移率。测量到未应变纳米线和块状 GaAs 的相对迁移率增加约为 30%。研究人员认为，他们可以在具有更大晶格失配的材料中实现更显着的增加。

最近，英特尔一项关于“堆叠叉片式晶体管（stacked forksheet transistors）”的技术专利引起了人们的注意。

英特尔表示，新的晶体管设计最终可以实现3D和垂直堆叠的CMOS架构，与目前最先进的三栅极晶体管相比，该架构允许增加晶体管的数量。在专利里，英特尔描述了纳米带晶体管和锗薄膜的使用，后者将充当电介质隔离墙，在每个垂直堆叠的晶体管层中重复，最终取决于有多少个晶体管被相互堆叠在一起。

据了解，英特尔并不是第一家引用这种制造方法的公司，比利时研究小组Imec在2019年就曾提出这个方法，根据 Imec 的第一个标准单元模拟结果，当应用于 2nm 技术节点时，与传统的纳米片方法相比，该技术可以显着提高晶体管密度。

垂直传输场效应晶体管（VTFET）由IBM和三星共同公布，旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术。新技术将垂直堆叠晶体管，允许电流在晶体管堆叠中上下流动，而不是目前大多数芯片上使用的将晶体管平放在硅表面上，然后电流从一侧流向另一侧。

据 IBM 和三星称，这种设计有两个优点。首先，它将允许绕过许多性能限制，将摩尔定律扩展到 1 纳米阈值之外。同时还可以影响它们之间的接触点，以提高电流并节约能源。他们表示，该设计可能会使性能翻倍，或者减少85%的能源消耗。

其实，对于3nm以后先进制程如何演进，晶体管制造只是解决方案的一部分，芯片设计也至关重要，需要片上互连、组装和封装等对器件和系统性能的影响降至最低。

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5月26日，中国 科技 圈最开心的人，当属雷军，一边是诉讼官司赢了美国，被移出制裁名单，一边是2021年Q1捷报传来，总营收769亿、净利润61亿创小米史上最好成绩！但双喜临门的雷军，笑容背后，尽是焦虑——小米的高端梦仍存变数！

01，斩获史上最佳季报，雷军笑早了？

2021年5月26日上午，雷军第一时间转发小米被美国移出制裁名单的好消息，随后小米中国区总裁卢伟冰秒速跟转，并佐以“我们赢了！”的文案，在异国他乡，凭法律武器，赢了官司，也难怪小米高层大有扬眉吐气之感。

就在小米上下一片欢腾之际，5月26日晚，捷报再度传来，小米2021年第一季度财报正式揭晓，营收和净利增长创单季 历史 新高，雷军再也抑制不住内心的激动与骄傲，连发多条微博“奔走相告”，一度表示要喝一杯“庆功酒”。

作为中国知名 科技 公司的小米，赢了美国诉讼，又斩获史上最漂亮的单季业绩，确实值得鼓励，小米一季度财报细看之下，我们发现除了营收和净利创新高之外，还有两大亮点：

一个是小米的核心主业智能手机，在Q1收入高达515亿元，同比增长698%，毛利率高达129%，小米手机全球出货量达到4940万台，排名全球第三，增速高达691%。

另一个是IoT设备和生活消费品业务表现强劲，综合收入高达182亿元，同比增长405%。

什么意思呢？简单说就是雷军十年磨一剑，给小米定下的“手机 AIoT”核心战略取得显著成效，小米集团的大方向走对了。

但是，也不能报喜不报忧，这份漂亮的季报背后，仍然能看出雷军笑容背后的隐忧：

早在2020年开年，小米就启动了全力冲刺高端市场的策略，并且将红米打包交给卢伟冰专攻下沉市场，小米数字系列和MIX系列等全力往上攻。主力机型售价也飙到了3000+，彻底宣告1999时代的结束。

然而依据小米2020年财报估算，小米10系列在2020年前十个月全球总共出货约350万台，这个成绩还远远算不上站稳高端，那究竟旗舰机卖多少才算立稳脚跟？业内没有明确的标准，这确实给一些公司留下了营销的空间。

但，我们可以参照公认的高端品牌，苹果、三星和华为的出货规模来评判，苹果单款新品（iPhone系列）年销量在6000~8000万规模级别，三星双旗舰（S系列+Note系列）新品年销量也在6000万+级别，华为的双旗舰新品（P系列+Mate系列）年销量也在3000万~4000万+级别。

而这三个品牌的机型，均价最低也在5999+级，最高更是10000+。

所以，当雷军拿出价格统计口径3000+的数据，而且全球才300万台的单季量（就算后面三季都能达到这个量级，那撑死就是1200万的量）摆到台面，说高端站稳之时，多少有些缺乏说服力。当然，相比小米自己，进步是巨大的，基本在3K+价位，一个季度卖出了过去一年的量。

而小米拿下国内4000~6000元价位段安卓手机的销量第一还有不容忽视的客观因素：

华为被制裁，整个2021年一季度都没有新机可发，并且，连老旗舰都严重缺货，三星国内市场江河日下，OPPO和vivo在5K+价位段表现乏力以及小米11系列诱人的配置和极限性价比。此外小米并没有统计具体的出货台数。所以300万台中，售价在4000~6000的机型在国内共卖出了多少台？成了待解之谜。

我们虽无法精准测算小米卖了多少台4000~6000价段的机子，但是通过一些电商平台的数据，还是可以反估销量情况的。依据2021年4月份的《京东自营手机销量排行榜》，我们发现，高端机型真正上榜的只有iPhone 和严重缺货的华为。Redmi和荣耀X10这些低端千元机不作为统计对象。而去年秋天发布的Mate 40 Pro仍然能斩获10万+的销量，小米的新品11/11 Pro/Ultra未见一个上榜。注意，Mate 40 Pro售价是6499元起。

华为商城、天猫、苏宁等电商平台的数据就不再一一统计了，基本也跟京东的表现出入不大，均价远低于Mate 40 Pro的小米11新品系列，月销量仍远不是华为老机型对手。这似乎也佐证了一条：真正的高端话语权，小米仍未拿到。

堆料拉满，配置豪华，定价厚道的小米为何卖不出比华为更高的价？还有一点比较可怕的是，华为缺货都有人加价买，而小米11 Pro/ Ultra才发布几个月就被迫“降价”卖，某平台降幅高达600元，这背后的逻辑才是雷军焦虑的深层次原因！

02，剑指全球第一！小米凭什么？

尽管3000+就开始计算为高端机区间，这个统计口径存疑（因为在国内市场，随便一台今年新出的中端机，都可以卖3000+的价），也尽管小米11系列后劲不足（尤其是 Pro和Ultra的降价促销），但不妨碍野心勃勃的小米，公开提出拿下全球第一的大目标。

2021年5月24日，在小米2021年度校招生集中培训会上，小米中国区总裁卢伟冰信心满满地公布小米大目标：“用三到五年的时间，手机业务实现全球第一！现在小米全球排名第三，比较大的概率，在6月份结束之后超越苹果成为全球第二”。

超过苹果，如果单纯从出货量上来说，不是没可能，苹果每年一机打天下，小米加红米每年推出的机型至少几十款，援引小米财报，2021年Q1共出货4940万台小米，而我们已知，这其中3000元以上的总共才出货300万台，也就是说剩下的4640万台都是3000元以下的低端机，这也刚好佐证了第二组数据

上表为2021年Q1全球手机利润分布图，从中可以看出，一季度全球手机行业利润突破了一亿美元，这其中，单苹果一家，就干走了42%的份额，就问你恐不恐怖？排名第二的是三星，拿走344%的份额，小米排在第5，份额为133%。不算三星和苹果，在国内，小米的盈利水平也是在OPPO和vivo之后的。

所以，大体可以得出第一个推论： 小米在牺牲利润换规模，为出量而出量。

而恰恰因为盈利能力所限，也很大程度上制约了小米的研发水平，我们继续看数据，欧盟委员会2020年12月发布的《2020版欧盟工业研发投资记分牌》依据全球企业2019年财报统计出了全球研发投入最多的2500家公司，其中中国共有624家中国企业入榜：

华为排名中国第一，全球第三，2019年研发投入132699亿元，结合2021年3月31日华为发布的2020年度财报数据，2020年，华为研发总费用为141893亿元，超过了BATJ国内四大 科技 巨头的总和。

小米排名中国第15，全球第187，2019年研发投入7047亿元，另据雷军在2021年1月7日的小米百万美金技术大奖颁奖典礼上透露，2020年，小米总共投入了100亿人民币做研发，排进了中国公司的前20名。

所以，我们就能看出，在研发投入层面，小米和华为相差了1300多亿的鸿沟。

小米研发投入虽然也不低，但跟真正的高端手机厂相比，没有任何优势，那注定在智慧成果的产出上会严重受限。

这也是影响小米产品溢价能力的最核心原因—缺乏一流的自研核心技术。

拿最核心SoC芯片层面的技术积累来说，华为和苹果三星等一流巨头均拥有自研SoC的能力，而小米的最新突破，也仅仅是在MIX Fold发布会上展示了自研的ISP。

什么意思？就好比华为能造一个房子，小米目前只能造这个房子里面的一面镜子，ISP之于SoC远不是最难的，CPUGPUbaseband……哪个都能卡住小米的脖子，所以，小米当下只能“坐享其成”花钱从高通买。

问题来了，小米能买，OPPO和vivo等同样能买，小米如何能做到在用同一计算平台的基础上体验吊打友商？谁研发实力比小米弱呢？这就决定了，在最核心技术层面，小米拉不开与友商的差距。

软件系统上，都是基于Android的深度定制，各有特色，谈不上谁碾压谁，唯一的变量，先卖个关子，留到文末讲。

另一方面，小米配置是上来了，但是手机的ID与CMF设计，总还差点意思。跟其余的高端机型比，会有品质感稍逊的落差，这也小米需要继续攻坚的。

高端要打通，还有一块核心层面，即品牌认知度（品牌力），提起高端，大家会想到苹果三星和华为，但不会第一时间想到小米，用户心智的攻破靠的是硬核科研实力与综合产品体验的支撑。所以研发实力与品牌影响力是相辅相成的。

即便不谈华为（毕竟已经被迫退出手机赛道了），在国内，还有OPPO和vivo等家喻户晓的国民手机品牌，而且，大众对OV的产品没有什么性价比的执念，OV的全面高端化，同样会形成对小米的制衡。

山中无老虎（华为）、猴子也难称霸！

由是，在研发和品牌力不足以领先国内友商一个身位之前，遑论全球第一的豪言？超越华为之路漫漫，小米仍需努力。

后记：手机江湖惊天变！

饱受制裁的2020年，华为仍拿下了中国第一的份额，实属不易，小米紧随荣耀之后，排名第五，同样也是年前，任正非挥泪“斩”荣耀，独立后的荣耀与华为正式分家，但也带走了希望的“火苗”。

华为的星星之火，是什么？是人才，荣耀带走了8000华为干将，这其中有4000名是原华为手机部门核心研发人员，不夸张地说，不谈华为，当前国内研发潜力最强的手机公司，极可能是新荣耀。

（另有消息显示，荣耀也有可能在后续获得适配华为自研的鸿蒙系统的权限，相比之下，这也算一个差异化竞争卖点）

这就是国产手机江湖希望的火苗和最大的变量，荣耀目前渠道和供应链均已恢复，而研件平台也选择了跟小米和OV同样的高通，接下来就看八仙过海，各显神通了。

也正因为新荣耀这个“破局者”的存在，小米和OPPO及vivo谁都不好说会称霸中国或世界。说来也巧，当承袭了华为的技术研发底蕴荣耀喊出—目标国内和全球第一！的豪言时，胜利的天秤最终会倒向哪边？

腥风血雨的手机江湖谁会笑到最后？

参考资料：

1，小米2020年财报和2021年一季度财报

2，华为2020年财报

3，Trustdata、欧盟委员会、countpoint、京东等机构数据

4，新浪 科技 /微博/老板联播等相关图证