三星 固态硬盘850evo 有谁用过的?问下掉速严不严重,网上说tlc的不大好,望给点中肯意见

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三星 固态硬盘850evo 有谁用过的?问下掉速严不严重,网上说tlc的不大好,望给点中肯意见,第1张

其实开机速度快、游戏读条快都是表面现象,最主要的是加了SSD后电脑就像从单核换成了八核CPU,同时运行多个程序都不会有一点卡顿。用起来就是爽啊!开机很快,用了10秒就启动到桌面了,以前要半分钟以上,而且进了桌面还会卡住一段时间

TLC寿命短,一般只有5000次擦除,刚购买了一款三星960EVO 250G,发过几个贴吧论坛,被无数人吐槽,基本都是说不该买TLC的,主要理由是寿命短,用不到多久就完了。

这个固态硬盘官方写入寿命方面质保是100TB,按照这款颗粒、主控情况来算,理论寿命也就是100TB左右。按照上述的旧固态硬盘使用量情况(5年总写入约10TB),这款寿命100TB的话就可以使用至少50年。

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对SSD的使用寿命有着决定性影响。从SSD的使用寿命和价格,我们从中了解到闪存的三个类型:1、寿命最长,价格最贵的SLC;2、寿命和价格居中的MLC;3、寿命最短、价格最低的TLC闪存。

TLC即Triple-Level Cell的缩写,是2bit/cell的MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,TLC利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,存储密度理论上较之MLC闪存扩大了05倍。

    1、理论上的存储密度最高;2、制造成本最低,其价格较之MLC闪存降低20-50%;3、P/E寿命可达1000-2000余次;5、理论上的读写速度最慢,随着制造工艺的提升、主控算法有大幅提升。

    TLC闪存也如当年MLC闪存一样,在攻克P/E使用寿命的难关后,在今年下半年走上主流舞台。目前各大主流主控厂商开发支持TLC闪存的主控,并且已经进化到第三代,有效提高TLC SSD的性能,延长TLC SSD的P/E使用寿命。

三星SSD固态硬盘 840EVO 的缺点:4K读写一般,随机写入能力较弱。

造成缺点的原因

如图,三星MEX三核主控的内部核心为8通道闪存控制器,每通道支持4CE,SSD的CE总量达到32方可发挥最佳性能。

而三星840 EVO 120GB SSD采用两个64GB 闪存颗粒,每个颗粒4die 128Gb芯片(4CE),合计总共8CE,离32CE总量甚远。这就是问题的根源所在。

扩展资料:

三星840EVO 固态硬盘是三星2013年7月推出了新一代固态硬盘产品。与在之前的840系列固态硬盘相比,840 EVO除了在主控、闪存、缓存、固件方面进行了更新换代外,性能有了很大提升,另外容量方面最大容量翻倍至1TB,最小120GB容量。

840 EVO固态硬盘使用的是1xnm新工艺的TLC,这种闪存每颗能封装最多八个Die,每Die晶圆芯片为128Gbit(折合为16GB),页面尺寸8KB,只不过每个区块的页面数量从192增至256,每颗黑色的成品闪存采用MCP多芯片封装,单颗容量最大为128GB。可靠性上,编程/擦写循环次数还是1000-3000。

参考资料:

三星840EVO_