问题一：闪存是什么意思？ 闪存是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS、PDA、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。

闪存的分类

NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。

这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB20接口之后会获得巨大的性能提升。

前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。

NAND型闪存的技术特点

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节)。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。

NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。

每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输(512+16)bit信息，8条就是(512+16)×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是(256+8)×16bit，还是512字节。

寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址>>

问题二：什么叫闪存盘 什么叫闪存盘

俗讲就是平常说的U盘

闪存盘是基於flashmemory为存储介质的、以u 为接口的一种存储方式。闪存盘一出现，就被电脑业内人士认为是“软盘的终结者”。

闪存盘的存储容量与日俱增。现在最高等级的闪存盘每只已经可以容纳相当於1500张软盘的信息。闪存盘工术还被用到了数码相机、随身听等新领域。

问题三：什么是闪存容量？ 闪存就是Flash Memory，断电也可以保存数据，相当于一组芯片，硬盘就相当于我们目前在用的电脑上的盘了嘿嘿。我不会用专业术语了。

不过我可以非常精确地告诉你，将来硬盘将被闪盘取代，就是说。闪存存取比较快速，无噪音，散热小。你买的话其实可以不考虑那么多，同样存储空间买闪存。如果硬盘空间大就买硬盘，也可以满足你应用的需求。

问题四：什么是闪存 闪存卡（Flash Card）是利用“闪存技术”达到存储电子信息的存储器，一般应用在 数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧有如一张卡片， 所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有:

SmartMedia（SM卡）

pact Flash（CF卡）

MultiMediaCard（MMC卡）

Secure Digital（SD卡）

MemoryStick（记忆棒）

XD-Picture Card（XD卡）

微硬盘（MICRODRIVE）

这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的

闪存是基于USB接口和FlashMemo■ry闪存芯片存储介质、无需驱动器的存储器，具有无驱动、速度快、体积小、兼容性好、携带方便、容量大、寿命长等优点。

闪存以普及的USB接口作为与计算机沟通的桥梁，并且最高可达到2GB的储存空间。即插即用的功能使得计算机可以自动侦测到此装置，使用者只需将它插入计算机USB接口就可以使用，就像一般抽取式磁盘装置，读写档案、复制及删除方法与一般操作方式完全相同。

目前流行的迷你移动存储产品几乎都是以闪存作为存储介质。闪存作为一种非挥发性（简单说就是在不加电的情况下数据也不会丢失，区别于目前常用的计算机内存）的半导体存储芯片，具有体积小、功耗低、不易受物理破坏的优点，是移动数码产品的理想存储介质。随着价格的不断下降以及容量、密度的不断提高，闪存开始向通用化的移动存储产品发展。

闪存有许多种类型，从结构上分主要有AND、NAND、NO处、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最为常见的类型。NOR型闪存是目前大家接触得最多的闪存，它在存储格式和读写方式上都与大家常用的内存相近，支持随机读写，具有较高的速度，这也使其非常适合存储程序及相关数据，手机就是它的用武之地。但是NOR型的最大缺点就是容量小，Intel最近才发布了采用013μm工艺生产的64Mb芯片。与NOR型相比，NAND型闪存的优点就是容量大，在去年512Mb的芯片就不是稀罕事了。但是，NAND型的速度比较慢，因为它的I/O端口只有8个，比NOR型的少多了。区区8个端口需要完成地址和数据的传输就得让这些信号轮流传送，很显然，这种时候串行传输比NOR型、内存等芯片的并行传输慢许多。但是，NAND型的存储和传输是以页和块为单位的（一页包含若干字节，若干页组成块），相对适合大数据的连续传输，这样也可以部分弥补串行传输的不利。因此，NAND型闪存最适合的工作就是保存大容量的数据，作为电子硬盘、移动存储介质等使用。

为了在各种设备上使用，闪存必须通过各种接口与设备连接：与电脑连接最常用的接口有USB、PCMCIA等；与数码设备连接则有专用的接口和外形规范，如CF、SM、MMC、SD、Memory Stick等，其中应用面最广、扩展能力较强的是CF和Memory Stick。

问题五：什么是闪存？有什么用？ 闪存的基本概念

闪存的英文名称是Flash Memory，一般简称为Flash，它也属于内存器件的一种。不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类DDR、SDRAM或者RDRAM都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存则是一种不挥发性(Non-Volatile)内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

NAND闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块，NAND的存储块大小为8到32KB），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过512MB容量的NAND产品相当普遍，NAND闪存的成本较低，有利于大规模普及。NAND闪存的缺点在于读速度较慢，它的I/O端口只有8个，比NOR要少多了。这区区8个I/O端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比NOR闪存的并行传输模式慢得多。再加上NAND闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修正，可靠性较NOR闪存要差。NAND闪存被广泛用于移动存储、数码相机、MP3播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。三星、东芝、Renesas和SanDisk是主要的NAND闪存制造商，其中三星电子凭借价格和技术双重优势获得了绝对领先的市场份额，甚至在去年第三季度超过Intel公司成为全球最大的闪存制造商。由于受到数码设备强劲发展的带动，NAND闪存一直呈现指数级的超高速增长，NAND可望在2006年超过NOR成为闪存技术的主导。

数码闪存卡：主流数码存储介质

数码相机、MP3播放器、掌上电脑、手机等数字设备是闪存最主要的市场。前面提到，手机领域以NOR型闪存为主、闪存芯片被直接做在内部的电路板上，但数码相机、MP3播放器、掌上电脑等设备要求存储介质具备可更换性，这就必须制定出接口标准来实现连接，闪存卡技术应运而生。闪存卡是以闪存作为核心存储部件，此外它还具备接口控制电路和外在的封装，从逻辑层面来说可以和闪盘归为一类，只是闪存卡具有更浓的专用化色彩、而闪盘则使用通行的USB接口。由于历史原因，闪存卡技术未能形成业界统一的工业标准，许多厂商都开发出自己的闪存卡方案。目前比较常见的有CF卡、SD卡、SM卡、MMC卡和索尼的Memory Stick记忆棒。

CF卡（pactFlash）

CF卡是美国SanDisk 公司于1994引入的闪存卡，可以说是最早的大容量便携式存储设备。它的大小只有43mm×36mm×33mm，相当于笔记本电脑的PCMCIA卡体积的四分之一。CF卡内部拥有独立的控制器芯片、具有完全的PCMCIA-ATA 功能，它与设备的连接方式同PCMCIA卡的连接方式类似，只是CF卡的针脚数多达五十针。这种连接方式稳定而可靠，并不会因为频繁插拔而影响其稳定性。

CF卡没有任何活动的部件，不存在物理坏道之类的问题，而且拥有优秀的抗震性能， CF卡比软盘、硬盘之类的设备要安全可靠。CF卡的功耗很低，它可以自适应33伏和5伏两种电压，耗电量大约相当于桌面硬盘的百分之五。这样的特性是出类拔萃的，CF卡出现之后便成为数码相机的首选存储设备。经过多年的发展，CF卡技术已经非常成熟，容量从最初的4MB飙升到如今的3GB，价格也越来越平实，受到各数码相机>>

问题六：闪存是什么啊，与SD卡有什么区别啊 闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器 埂更多信息请自己看：baikebaidu/view/1371

闪存的分类

・目前市场上常见的存储按种类可分：

U盘

CF卡

SM卡

SD/MMC卡

记忆棒

问题七：什么是闪存 闪存盘是一种移动存储产品，可用于存储任何格式数据文件和在电脑间方便地交换数据。闪存盘采用闪存存储介质（Flash Memory）和通用串行总线（USB）接口，具有轻巧精致、使用方便、便于携带、容量较大、安全可靠、时尚潮流等特征。

闪存盘可用来在电脑之间交换数据。从容量上讲，闪存盘的容量从16MB到2GB可选，突破了软驱144MB的局限性。从读写速度上讲，闪存盘采用USB接口，读写速度比软盘高许多。从稳定性上讲，闪存盘没有机械读写装置，避免了移动硬盘容易碰伤、跌落等原因造成的损坏。部分款式闪存盘具有加密等功能，令用户使用更具个性化。闪存盘外形小巧，更易于携带。

问题八：什么是tlc闪存和mlc闪存 以及slc SLC(Single-Level Cell），原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1个位(bit)的资料MLC(Multi-Level Cell)，在1个存储器储存单元(cell)中存放2个位(bit)的资料

而TLC（Trinary-Level Cell），就是在1个存储器储存单元(cell)中存放3个位(bit)的资料

总的来说

SLC速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命

MLC 速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命

TLC 也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

问题九：什么叫手机闪存？ 闪存

闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。

概念

闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。

闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、pact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。

技术特点

NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。

单片机闪存

这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB20接口之后会获得巨大的性能提升。

前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。

闪存存取比较快速，无噪音，散热小。用户空间容量需求量小的，打算购置的话可以不考虑太多，同样存储空间买闪存。如果需要容量空间大的（如500G），就买硬盘，较为便宜，也可以满足用户应用的需求。

分类

按种类分

U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡

按品牌分

金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK。

NAND型闪存内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是>>

问题十：闪存是什么意思？ 闪存是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS、PDA、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。

闪存的分类

NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。

这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB20接口之后会获得巨大的性能提升。

前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。

NAND型闪存的技术特点

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节)。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。

NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。

每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输(512+16)bit信息，8条就是(512+16)×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是(256+8)×16bit，还是512字节。

寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址>>

目前使用三星内存颗粒来生产内存条厂家非常多市场上有高占有率由于其产品线庞大所三星内存颗粒命名规则非常复杂三星内存颗粒型号采用16位数字编码命名其用户更关心内存容量和工作速率识别所我们重点介绍两部分含义编码规则:K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义:第1位芯片功能K代表内存芯片第2位芯片类型4代表DRAM第3位芯片更进步类型说明S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM第4、5位容量和刷新速率容量相同内存采用同刷新速率也会使用同编号64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit容量;28、27、2A代表128Mbit容量;56、55、57、5A代表256Mbit容量;51代表512Mbit容量第6、7位数据线引脚数08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据第11位连线-第14、15位芯片速率606ns;70 7ns;7B75ns (CL=3);7C75ns (CL=2) ;808ns;10 10ns (66MHz)知道了内存颗粒编码主要数位含义拿内存条非常容易计算出容量例条三星DDR内存使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装颗粒编号第4、5位28代表该颗粒128Mbits第6、7位08代表该颗粒8位数据带宽样我们计算出该内存条容量128Mbits(兆数位)× 16片/8bits=256MB(兆字节)

求采纳

内存作假主要是以低速内存冒充高速度的，以低容量内存冒充高容量的。要杜绝此类作假，就要学会识别内存规格和内存芯片编号，方法一般是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，前者是内存的技术规范，后者由于厂家的不同，其编号规则也不同。

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001（下载地址http://wwwsisoftwarecouk/indexhtm）这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）10---12版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）12b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表54ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为12；g代表修订版本，如2代表修订版本为12；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为20）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、33V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少75ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表54ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为20。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为10）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为21001/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=25；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表75ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为10。

4、RDRAM 内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为8001/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=33V,U=25V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。

LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（75=75ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕 ，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，75是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有036mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV12版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV11版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=02微米33V Vdd CMOS，V=25V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 基粒数目 = 16 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，02微米33V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=33V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[33V]、L=DDR SDRAM[25V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [156μs]、1 = 32m/2K [156μs]、2 = 128m/8K[156μs]、3 = 64m/8K[78μs]、4 = 128m/16K[78μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(33V)、1=SSTL_2(25V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 67ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 75ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit16=64Mbit内存芯片，33V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (156μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(33V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=33V Vdd CMOS，V=25V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cdef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：

（A）、DRAM

-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns

SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-

65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz

DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=25

-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）、Rambus（时钟率）

-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz

50ns，-3M=300MHz 53ns

+的含义

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）、DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=25）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=25）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=168MB=128MB，133MHz

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；

64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据

位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表

2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含

义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：

在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns

〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=

[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；

JH=86-pin TSOP-II）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型

（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4

位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；空白表示功耗

（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=75ns〔133MHz〕，80=8ns

〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是

3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是

速度（6=166MHz，7=143MHz，75=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz

〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM

（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，

M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示

内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度

（75=75ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代

表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功

耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=68ns〔147MHz〕，75A=75NS

〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的

64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

编码识别是指在判断字符串的编码类型时，包含了哪些字符集和编码格式，以此来确定字符串的实际编码。而内存则是指计算机进行信息处理和存储的地方，编码识别和内存之间并没有直接关联。如果您的意思是如何在内存中查看数据的编码类型，可以通过以下方式：1 使用专门的编码识别工具，如chardet、charset、icu。2 查看数据的文件头部信息，常见文件头有UTF-8、UTF-16、GB2312、GBK等。3 直接通过字节数组来判断编码类型，针对不同编码格式的字节序列有不同的判断方法，需要根据不同的编码格式进行判断。需要注意的是，编码识别并不是完全准确的，有时会出现错误判定的情况，特别是当字符串包含非标准字符或者混合编码时，就需要通过其他手段来确定实际编码类型。

SEC（Samsung Electronics）

KOREA 韩国

三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：

KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX

KM代表是三星的产品。

三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDR SDRAM。

"S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。

"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3 为难个Bank。

"0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。

"0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。

"T"为TSOP封装。

速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于一般的低功耗版。

"G/F"后的X代表速度：

7： 7ns（143MHz）

8： 8ns（125MHz）

H： 10ns（PC100 CL2&3）

L： 10ns（PC100CL 3）

10：10ns（100MHz）

在原理上说256+512是不行的，这样是不兼容的。

你的256是8颗粒的，那么你的512也要用8颗粒的，这样会好一些。

要不你就去买一条1G的。

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回答者：lzddwgp - 试用期 一级 5-19 11:15

建议直接换两个512的，呵呵，别骂。

现在内存条很便宜的，用两个512的是很爽的，我准备换，把现在这个直接就处理掉吧

回答者：xujie2002988 - 助理 二级 5-19 11:15

Kingston 512M的就行。

一般同品牌的很少出再兼容问题。

回答者：zhaoly0228 - 进士出身 八级 5-19 11:16

恩~ 把256卖了~ 在卖个根相同512就不会有什么大问题了~

回答者：love_metal - 魔法师 四级 5-19 11:18

买一条1G的

回答者：史前巨大食腐兽 - 见习魔法师 二级 5-19 11:19

为什么不行 ,我现在就这么用呢,很好啊,也没出现什么兼容性问题

回答者：win00815 - 助理 二级 5-19 11:26

我正想买条256呢，卖我吧：）

回答者：数声水调100 - 助理 二级 5-19 11:32

你弄个kingmax的和其他的多数的品牌都可以兼容

回答者：gingerp - 见习魔法师 二级 5-19 11:34

都换了

回答者：woaiyanwenjuan - 见习魔法师 二级 5-19 11:35

没必要

我用的256+512不是也没问题吗？

其实只要主板支持

多试试是否稳定即可

回答者：wangshuoshu - 试用期 一级 5-19 11:35

我的电脑跟你一样,也是256+512组合,建议买KINGSTON的,因为兼容性比较好,价格实在,下面的是我当时买内存条在网上下的一些文档,希望对你有帮助

内存条容量的辨识 出处：中国计算机报

责任编辑：zhb

[02-10-15 9:24] 作者：韩韬

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当你拿到一条内存的时候，能看出它的容量吗？虽然我们可以把它插到机器上测试出来，但对于一个内行人来说，看一眼就能知道内存条的大小显然是有意义的，并且并不难做到。

通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。虽然目前生产内存条的厂商有许多，但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。

下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

三星内存颗粒

目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X

主要含义：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。v 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为75ns (CL=3)；7C为75ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表25V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

西门子内存颗粒

目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-75——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：

1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-75的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-75的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

Kingmax内存颗粒

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

Kingston内存全面打假手册！ 出处：PConline

责任编辑：zhubo

[03-7-9 14:34] 作者：厂商提供

广告：d_text 李逵还是李鬼，一直是困扰着广大消费者的一个令人头疼的问题。作为品牌内存市场拥有良好口碑的Kingston内存，以终身质保和免费终身技术支持闻名于市场，但是目前在市场上也发现了一些假的Kingston内存，如果不幸买到了这一类产品，即使可以使用正常，也是没有办法享受Kingston的任何服务的。这里就积累了一些Kingston内存真假鉴别的经验，希望可以供大家在选购的时候加以鉴别。

目前发现的假冒Kingston内存和真品还是有不少的区别的，主要体现在包装盒、标签和内存条上，下面就进行逐一的介绍：

1、包装盒

假冒Kingston内存的包装盒质地较软，而且光泽度较真品强，没有真品的包装盒那样好的质感。

假 真

2、标签纸

这个是最容易鉴别的一点，真品Kingston内存的标签较厚，而假货的标签很薄，可以轻易的透过标签看到内存颗粒上的文字。

假 真

假 真

同时，假的Kingston内存标签上字体印刷模糊，字体不均，而真品则字体锐利，清晰可见。

假 真

如果将标签撕去，可以轻易的发现假内存标签撕去后，颗粒上不会留下任何痕迹。

第四点，正品Kingston内存标签上的一组编号应与PCB板上的编号相匹配，否则定是假货无疑。

最后，Kingston内存标签上的内存编号实际代表了此款内存的规格和参数等等信息，如编号KVR266X64C25/128的含义就是Kingstong Value Ram系列的DDR266不带ECC，Cas值25的128M内存。假的Kingston内存往往编号和实际参数不符。

3、内存本身

有一些的造假者是直接将其他品牌的内存贴上Kingston的标签直接销售的，因此，购买Kingston内存时一定要购买盒装附说明书的Kingston内存，并且请仔细鉴别内存本身的做工等等，这样才能最大程度上的避免损失。

金士顿特别设立wwwkingstoncom/china/verify网站,提供用户立即查验真伪

祝各位都可以买到称心如意的真品Kingston内存，当然，如果不幸事后发现有假货现象，可以及时与消费者权益保护部门或与金士顿中国代表处80081019联系以便解决问题。

真货的AIDA32检测软件的内存信息截图，大家注意这里可以检测到该内存的生产日期为2005年第1周，另外Kingston后的编号标识为“K”。

假货的AIDA32检测软件的内存信息截图，大家注意这里完全检测不到该内存的生产日期，完全没有这一行的相差资料显示，另外Kingston后的编号标识为“F”。

该可点击放大

看完本文，相信大家已经对如何辨别真、假金士顿(Kingston)内存有了非常深入的了解，上网辨识真伪，是Kingston提供的官方验证方法，具有最高的权威性。

http://wwwkingstoncom/china/verify/defaultasp

金士顿也在逐步改进上网辨识真伪的方法，目前有第一代防伪标和第二代防伪标。请根据不同情况查询。

我们最后还简单地测试了一下两者的超频性能，这条正品行货金士顿(Kingston)256M DDR400内存，在不加内存电压的时候，其它参数不变，内存频率可以超频到448Mhz运行，而假货金士顿(Kingston)256M DDR400内存，在同样条件环境下，只能超频到407Mhz。可见真、假金士顿(Kingston)内存的性能提升潜力也是大有区别的。

售后服务方面正品行货金士顿(Kingston)内存是全国统一的终身保固服务，而假货金士顿(Kingston)内存则一般是由商家口头承诺的三年保修服务。

这次市面上这批假货金士顿(Kingston)内存的造假工艺非常之高，而且普通消费者在正常条件下，很难辨别其真伪，希望看完本文能对广大消费者们辨别真、伪有所帮助，任何问题都可以发送email至mailto:technical_support@kingstoncomtw 或者致电800-810-1972。

掌握内存条的选购技巧

IT023COM(电脑在线)

选购内存条是每位DIYer在装机时的必经之路。不过，面对市场上鱼龙混杂的内存条，以及主板与内存条间层出不穷的兼容性问题，您是否觉得选购内存条时有些雾里看花的感觉呢？如果是，本文将为您拨开缭雾。

一．对付主板的“挑三拣四”

1．nForce2

nForce2对内存条“挑三拣四”的脾性一直是不少DIYer的烦心事，不少兼容性良好的内存条也无法与其和平相处。不过，经常和nForce2主板发生兼容性问题的内存虽然不少，但是使用Samsung、Infineon、Hynix和Winbond颗粒的内存条就没有什么问题，这些内存在市场上有很大的比例，很容易找到。当然，笔者不排除还有与nForce2存在兼容性问题的品牌内存条，您可以通过查询主板厂商的内存兼容性测试结果来了解具体信息。

2．865PE、865G和875P

实际上，865PE、865G本身对内存条并不十分挑剔。只要内存条的质量还过得去，那么865PE、865G就能与其和平相处。不过，打开了时下炒得火热的PAT后，865PE、865G挑内存条的问题就会立刻显现。因为，目前主板厂商的所谓“PAT”不但打开了“优化路径”，而且还会或多或少地调快了内存条的时序。其中，华硕P4P800 Deluxe主板的“PAT”更会在调快内存条的时序后，禁止用户和SPD对其进行修改。这种似乎“更强大”的“PAT”使得不少品牌内存在“PAT＋高速设置”的双重折磨下，纷纷倒地。所以，如果您打算将865PE、865G上的“PAT”发挥到极至，那么选购如Kingston的HyperX DDR433之类的内存条是必须的。当然，如果您对PAT没有什么兴趣或只想使用最基本的“PAT”，那么选购质量过得去的内存条就足够了。

875P也不是一盏省油的灯。虽然，主板厂商不敢对875P的内存部分进行疯狂优化，但其对内存条的要求还是很高的。为了充分发挥875P的性能，笔者建议您按照主板厂商的要求选购内存条。

二．不可忽视的细节

SPD芯片

SPD可谓内存的“身份证”，它能帮助主板快速确定内存的基本情况。在现今高外频的时代，SPD的作用就更大了，那些易惹主板“挑三拣四”的内存条大多是没有SPD或SPD信息不真实的产品。

另外，有一种内存条虽有SPD，但其用的是报废的SPD。JS也知道连上报废的SPD会导致内存条易出故障，所以您可以看到这类内存条的SPD根本没有与线路连接，只是被孤零零地焊在PCB上装样子。笔者建议您不要购买这类内存条。

金手指：金手指的重要性不言而喻。如果，内存条的金手指存在色斑或氧化现象的话，这条内存条千万不要买。嘿嘿，谁知道这条内存条到底在仓库里遭受了怎样的磨难，或是哪个年头的古董。

PCB板

PCB也是内存条的重要组成部分。PCB的层数不在于多，而是在于质量。有些6层PCB的内存条竟然比4层PCB的内存条还要薄不少，这类内存条虽然有6层PCB，但其实际质量却比不上4层PCB的产品。

另外，内存条的PCB的边缘不应该出现任何形式的形变，如果有这样的情况，则表明该内存条的PCB质量不过关，或在运输过程中遭到了虐待。

三．防假！防假！！防假！！！

1警惕“二手条”、“垃圾条”和“白条”

二手条：每年，淘汰下来的内存条不计其数。于是，一些JS就做起了“循环利用”的生意，他们将收购的内存条进行简单地翻新后，再将其当做新内存条出售。由于JS的技能有限，所以“垃圾条”还是很容易辨别的，比如PCB板看上去比较旧、金手指有使用过的痕迹等。实际上，“二手条”的质量不一定很差，特别是由品牌内存翻新而来的“二手条”，只是花新内存条的钱却买了二手内存条，说起来不爽，而且也是不正常的。

垃圾条：在劣质内存条中，除了常见的Remark外，还有一种“垃圾条”。所谓“垃圾条”是指JS用从废旧板卡上拆下的内存颗粒和元器件来制造“新”内存条。由于价格便宜和略看还“不错”的做工，“垃圾条”还是极具诱惑性的，但他们的质量奇差，使用时间能超过一年的简直就如凤毛麟爪。“垃圾条”的鉴别方法比较简单，除了价格便宜外，它们所用元器件看上去要显得旧一些，内存颗粒的颜色会出现泛白和字迹发虚的情况，或内存颗粒的数量明显多于相同容量的内存条。有些非常差的“垃圾条”甚至会在一条内存条上使用“五花八门”的排阻和内存颗粒，或在内存条上出现不该有的芯片和残留焊锡。

白条：如果您经常逛电脑城，那么您应该见过一些内存颗粒上空空如也的内存条，这类内存条就是笔者所说的“白条”。这类内存条大多是由无法通过全面检测的内存颗粒制造而成的，质量隐患严重。其中一些内存芯片已经破损。

还有一些JS看上了“白条”的内存颗粒空空如也的便利，在“白条”的内存颗粒用高精度激光刻字机刻上大厂的信息后，作为品牌散装内存条出售。不过，“真的假不了，假的真不了”，这类内存条还是能从内存颗粒的颜色、圆形缺口，以及PCB布线（重要特征！）等方面进行判断。

2警惕假冒的品牌内存条

随着品牌内存条的销量日渐增大，JS们又在品牌内存条上打起了歪主意。虽然，不少品牌内存都有自己独特的防伪方法，但由于某些品牌内存条厂商和总代理管理上的漏洞，JS们还是有可乘之机。目前，市场上出现的可通过防伪电话验证的假冒Kingston内存条和由JS个人“制造”的Kingmax内存条就是最好的例子。所以，购买品牌内存时，笔者建议您不但要按照内存条厂商的打假指南或诸如外包装、说明书之类的特征进行防假，而且最好还用软件看看SPD的厂商信息是否正确，因为目前的假冒品牌内存大多由JS个人“制造”，而他们目前还没有能力修改SPD信息。

四．内存条选购的疑问

内存颗粒越多越好？

对于非专业应用领域，笔者觉得在内存条容量相同的情况下，内存颗粒的数量应该越少越好，内存颗粒的数量越少也就意味着单个内存颗粒的容量越大。使用大容量内存颗粒不但能降低内存条的生产成本，而且由于大容量内存颗粒对制造工艺和设备的要求更严格，所以内存颗粒厂商通常会把其最先进的制造工艺、设备和品管要求用在这类内存颗粒的生产上。当然，并不是每块主板都能与大容量内存颗粒和平共处，这也算是美中不足吧。

谁需要散热片？

为了吸引消费者，一些内存条厂商纷纷为自己生产的内存条加上了散热片。不过，如果您不打算超频的话，那么您没有必要选购具有散热片的内存条。因为，目前的内存颗粒的发热量并不大，即使在密闭的机箱里，他们也不会出现过热的情况。

五．品牌推荐

Consair、Kingston这些名牌内存品质很好，如果您经济条件比较好，我们还是推荐您用这些，但是如果您是追求性价比的用户，则不妨看看下面推荐的品牌，这些品牌都是中小品牌，名声不大，但未必产品不好。

1．爱博NCP

物美价廉的内存条。NCP内存条的价格与一些小厂的Hynix内存条的价格持平，但质量却远胜后者，而且还有正规厂商和代理商做后盾，适合普通用户。

2．南方高科Soutec

超频性能不错，价格便宜。南方高科用的内存颗粒分TSOP和CSP两种封装形式，后者更适合超频。全线产品都有三年保修（超频烧内存是不保修的）。

3．威刚Vdata

一个新兴的内存品牌，正处于创牌子的时期。威刚的内存条价格便宜，质量也不错，现在购买其内存条还能参加抽奖活动。

4．勤茂TwinMOS

超频性能与Kingston的内存条大致相当，但价格却便宜不少。适合不需要大幅度超频的用户。