三星宣布基于 10nm FinFET 之 SoC 晶片开始进入量产阶段

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三星宣布基于 10nm FinFET 之 SoC 晶片开始进入量产阶段,第1张

为14nm制程之Exynos8890SoC

三星半导体宣布他们已经成为业界首个开始投产10nmFinFET系统级晶片(SoC)的企业，强调全新的DinFET10nm10LPE采用先进的3D晶圆设计，同时也是基于前一代14nm技术的强化版，而10nm制程可使得晶片获得30%面积效率提升，可得到27%效能的提升或是减少40%能耗；基于三星10nm制程的晶片有望于2017年初推出，而第二世代的10LPP制程也将于2017年下半年开始量产。

三星

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ddr6今年8月会出GDDR6，是ATI的R880，已经新闻发布了。

2018年1月18日消息，三星电子宣布量产业界首个16GGDDR6显存。新的GDDR6采用三星10nm级工艺技术，在显存容量、制造工艺方面相较上代GDDR5的8G、20nm翻一倍。英伟达表示3月份全新显卡系列上市将采用ddr6显存。

gddr6显卡是中档级别。GDDR6英文全称为 「 Graphics Double Data Rate, version 6 」，属于第六代版图形用双倍数据传输率存储器。

简单来说，也就是显卡的缓存。GDDR6是目前最新六代技术，相比目前主流的GDDR5更先进，频率更高，更有利于提升显卡性能。

主要设计：

支撑三星电子快速发展的是先导尖端技术趋势的设计，三星自上世纪90年代初起开始加强设计经营。在位于首尔市瑞草区的43层总部大厦内设有设计中心，创业之初仅有2名设计师，而今却增加至900多名。三星的设计周期为两年，第一年分析流行，进行商品战略企划。

第二年则开始重新设计。三星在韩国国内和米兰、伦敦等7处设立设计中心，各中心设计师不断探索和尝试符合当地文化、生活方式和产业趋势的设计。