为14nm制程之Exynos8890SoC
三星半导体宣布他们已经成为业界首个开始投产10nmFinFET系统级晶片(SoC)的企业,强调全新的DinFET10nm10LPE采用先进的3D晶圆设计,同时也是基于前一代14nm技术的强化版,而10nm制程可使得晶片获得30%面积效率提升,可得到27%效能的提升或是减少40%能耗;基于三星10nm制程的晶片有望于2017年初推出,而第二世代的10LPP制程也将于2017年下半年开始量产。
三星
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ddr6今年8月会出GDDR6,是ATI的R880,已经新闻发布了。
2018年1月18日消息,三星电子宣布量产业界首个16GGDDR6显存。新的GDDR6采用三星10nm级工艺技术,在显存容量、制造工艺方面相较上代GDDR5的8G、20nm翻一倍。英伟达表示3月份全新显卡系列上市将采用ddr6显存。
gddr6显卡是中档级别。GDDR6英文全称为 「 Graphics Double Data Rate, version 6 」,属于第六代版图形用双倍数据传输率存储器。
简单来说,也就是显卡的缓存。GDDR6是目前最新六代技术,相比目前主流的GDDR5更先进,频率更高,更有利于提升显卡性能。
主要设计:
支撑三星电子快速发展的是先导尖端技术趋势的设计,三星自上世纪90年代初起开始加强设计经营。在位于首尔市瑞草区的43层总部大厦内设有设计中心,创业之初仅有2名设计师,而今却增加至900多名。三星的设计周期为两年,第一年分析流行,进行商品战略企划。
第二年则开始重新设计。三星在韩国国内和米兰、伦敦等7处设立设计中心,各中心设计师不断探索和尝试符合当地文化、生活方式和产业趋势的设计。