不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考：
DDR SDRAM：
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整个DDR
SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=33V & VDDQ=25V；U：VDD=25V &
VDDQ=25V；W：VDD=25V & VDDQ=18V；S：VDD=18V & VDDQ=18V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M
8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．
封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11．
封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400
3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR
SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR200）
注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的
LGS的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS应该首先排第一位。
LGS的内存编码规则：
GM 72 X XX XX X X X X X XXX
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定义：
1、GM代表LGS公司。
2、72代表SDRAM。
3、V代表3V电压。
4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。
5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
7、I／O界面：一般为1
8、产品系列：从A至F。
9、功耗：空白则是普通，L是低功
10、封装模式：一般为T（TSOP）
11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）
二、HY（现代HYUNDAI）
现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。
HY的编码规则：
HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX
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定义：
1、HY代表现代。
2、一般是57，代表SDRAM。
3、工艺：空白则是5V，V是3V。
4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。
5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；
7、I／O界面：一般为0
8、产品线：从A－D系列
9、功率：空白则为普通，L为低功耗。
10、封装：一般为TC（TSOP）
11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS
三、SEC（三星SAMSUNG）
做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考。
SEC编码规则：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
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1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。
2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
3、一般均为S
4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量。
5、一般均为0
6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK
7、I／O界面：一般为0
8、版本号
9、封装模式：一般为T：TSOP
10、功耗：F低耗，G普通
11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。
四、MT（MICRON美凯龙）
美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高。
MT48 XX XX M XX AX TG－XX X
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1、MT代表美凯龙MICRON
2、48代表SDRAM。
3、一般为LC：普通SDRAM
4、此数与M后位数相乘即为容量。
5、一般为M
6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位
7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk
8、TG代表TSOP封装模式。
9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS
10、如有L则为低功耗，空白则为普通。
五、HITACHI（日立HITACHI）
日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！
HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX
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1、HM代表日立。
2、52代表SDRAM，51则为EDO
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为5
6、产品系列：A－F
7、功耗：L为低耗，空白则为普通
8、TT为TSOP封装模式
9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）
六、SIEMENS（西门子）
西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错。
HYB39S XX XX 0 X T X －X
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1、HYB代表西门子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为0
6、产品系列
7、一般为T
8、L为低耗，空白为普通
9、速度：
6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
七、FUJITSU（富士通FUJITSU）
富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品。
MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN
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1、MB81代表富士通的SDRAM
2、PC100标准的多为F，普通的内存为1
3、容量
4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位
5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK
6、产品系列
7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS
八、TOSHIBA（东芝）
东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等。TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多。
TC59S XX XX X FT X－XX
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1、TC代表东芝
2、59S代表普通SDRAM
3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT
4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位
5、产品系列：A－B
6、FT为TSOP封装模式
7、空白为普通，L为低功耗
8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）
九、MITSUBISHI（三菱）
三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商。普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见。
M2 V XX S X 0 X TP－XX X
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1、M2代表三菱产品
2、I／O界面。一般为V
3、容量
4、一般为S，说明是SDRAM
5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位
6、一般为0
7、产品系列
8、TP代表TSOP封装
9、速度：
8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。
10、空白为普通，L为低耗。
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HY：是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
5D：内存芯片类型：DDR SDRAM
U：VDD=25V & VDDQ=25V
28：128M 4K刷新
8：8颗芯片
2：内存bank（储蓄位）：4 bank；
2：接口类型：SSTL_2；
A：内核代号：第2代
空白：能源消耗：普通
T：封装类型：TSOP
K：速度：DDR266A
我也是现看现学的。
是SAMSUNG公司的。三星sec925芯片是半导体元件产品的统称，集成电路英语：integratedcircuit，缩写作IC。或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在电子学中是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。
三星芯片。sec725是三星的芯片，该品牌芯片于2015年5月12日在物联网世界大会上发布，包括三款型号，分别具备不同的处理、存储以及无线通信能力，可用于各种移动设备以及家用电器上。
三星内存条参数详解如下：
1、2GB是内存容量。
2、2Rx8表示内存是双面8颗内存颗粒，R是英语Row（排）的意思，诸如此类还有：2Rx16是双面16颗；1Rx8是单面8颗，一般说来，双面的兼容性好些，单面的超频性能好一点。
3、PC3-10600S说明该内存为DDR3，后面的10600S表明内存频率为1333MB。
4、09-10-f2表示批次，前面09-10是产品设计日期为2009年10月。
5、M471B5673FHO-CH9有点复杂，M是Memory的缩写实际上就是内存；4代表SODIMM表示是笔记本内存（3代表台式机）；71这两个字符表示数据位宽及内存模组类型；B表示这是DDR3的，DDR2的是“T”；56表示内存数据深度，这是构成内存容量大小的重要数据。
6、CH9部分C表示电压15V，H9表示芯片的速率，H9位CL9的时序规格。
7、1011代表出厂日期，指的是2010年底11周出厂的。
三星内存真伪鉴别方法
1、芯片光泽
原厂的三星金条芯片表面一般都很有质感，要么有光泽或荧光感，要么经过了哑光；而劣质的三星劣质内存的芯片上的痕迹主要集中在标识附近，且痕迹很均匀，细看可以发现芯片的这些区域与其他部分的质感不大一致，如颜色偏浅、泛白等。
2、看PCB
三星金条的PCB表面应光洁、色泽发亮、元件焊接整齐、焊点均匀而有光泽，边缘整齐而无毛边；而劣质的三星内存的PCB拿在手上的感觉分量不够，发灰，元件焊接质量粗糙，焊点七零八落，布线不整齐。
3、光亮的金手指及防伪标贴
三星金条的金手指要光亮，在PCB板上印有“Samsung”字样及贴有镭射防伪标贴；而劣质的三星内存则有发白或发黑的现象，发白是镀层质量差的表现，发黑是磨损和氧化的结果。
4、透明盒包装及电子保修卡
原装原厂的三星金条采用透明大盒包装，包装内附有三星金条说明书和全国首家推出的电子保修卡，而劣质的三星内存则没有。
内存条上的数字都代表以下意思：
1这是一条海力士DDR2 667内存2RX16表示 双面内存有16个内存颗粒，5300S表示内存带宽53G5 5 5-12表示内存的延迟。
2第二排是序列号之类的，意义不详。
内存条上的数字都代表以下意思：
1不同品牌的不相同:你可参考如下资料吧:从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。
2当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。
3PC66/100 SDRAM内存标注格式 （1）10---12版本 这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；
412b+版本 其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示。
