IT之家 7 月 23 日消息 根据外媒 GSMArena 消息，三星未发布的 Galaxy F42 5G 手机的跑分信息，于 7 月 22 日出现在 Geekbench 5 网站。这款手机代号为“SM-E426B”， 确认搭载联发科天玑 700 SoC ，此外还配备 6GB 内存，使用 Android 11 系统。
从跑分成绩上看， 这款手机单核成绩 559 分，多核成绩 1719 分 。天玑 700 SoC 采用 7nm 工艺制造，具有 2 个 22GHz 大核，以及 6 个 20GHz 小核。
根据IT之家之前报道，三星 Galaxy F42 5G 手机已经通过了蓝牙认证，但是该认证与 Galaxy A22 手机在同一个列表中，因此外媒预计这款手机是 A22 的马甲款。三星 Galaxy A22 5G 同样搭载天玑 700 芯片，配备 66 英寸 FHD+ 屏幕，刷新率 90Hz。此外，手机后置 48MO 三摄，内置 5000mAh 电池，支持 15W 快充。
相当于高通骁龙888。
三星Exynos1080与高通骁龙888，都是采用的三丛集CPU架构设计。而三星Exynos1080是A78+G78+5nm架构，由Cortex-A78大核、内核和Cortex-A55组成的三丛集CPU架构。
并且为了更好的资源调度能力，该芯片还采用了1+3+4的CPU核心组合，是兼顾高性能、低功耗的一把好手。
而高通骁龙888则更偏向澎湃性能，使用了一个284GHz的ARMCortex-X1超大核以及三个24GHz的A78中核，还有四个18GHz的A55小核以及三个24GHz的A78中核。尤其是ARMCortex-X1超大核的加持之下，使得整体CPU的运行性能表现优异。
Exynos 1080的更多资料：
Exynos 1080的集成调制解调器提高了下载内容的速度，允许以更少的延迟更快地进行流播和加载。兼容两种类型的 5G网络，即毫米波 (mmWave) 和 6 吉赫 (GHz) 以下，在 6GHz 以下环境下可实现高达每秒 51 吉比特 (Gbps) 的下行链路速度。
以及支持蓝牙52 和第六代无线网络技术 (Wi-Fi 6)，可确保 Exynos 1080 始终保持连接。
支持的频段：
Exynos 1080支持频段包括5G NR Sub-6GHz 51Gbps (DL) / 128Gbps (UL)、5G NR mmWave 367Gbps (DL) / 367Gbps (UL)、LTE Cat18 6CA 12Gbps (DL) / Cat18 2CA 200Mbps (UL)。
相关工艺：
三星 Exynos 1080 处理器采用最新 5nm 制程工艺，相较三星 7nm 工艺制程，三星 5nm 制程在晶体管数量密度上增加超过 80%，能够带来更强性能和更低的功耗。三星表示，此次Exynos 1080处理器采用的是全新的CPU架构核心，单核性能提升50%，多核性能提升近2倍。
-Exynos 1080 处理器
高通骁龙765g处理器还不错。具体分析如下：
骁龙765G在Geekbench的多核性能跑分为1842分，单核性能跑分为621分，成绩和去年的骁龙855处理器基本相近。
而在安兔兔综合性能跑分为330961分，其中CPU性能跑分为104698分，超过了45％的机型，跻身到了中端机型的行列。理论上来说，可以流畅运行现在大多数的手机游戏。
骁龙765G是美国高通公司于2019年12月4日夏威夷举办的骁龙年度技术峰会发布的移动端SoC，是一款采用7纳米制程的八核处理器。
骁龙765G是高通在2019年发布的一款中端处理器。对比上一代骁龙765来说，不仅CPU和GPU有所提升，而且还提升了AI计算能力，不仅支持SA和NSA的双模5G，而且还拥有毫米波、Sub6的能力。
架构上采用三星的7nm工艺，集成八核心Kryo475CPU，GPU型号为Adreno620，同时集成了Spectra355ISP、Hexagon696DSP、传感器中枢以及骁龙X52基带。
其他参数
骁龙765G处理器采用了最先进的7nmEUV工艺，有三粗群Kyro475CPU设计，采用8核心（1个24GHzCortex-A76大核心、1个22GHzCortex-A76中核心、6个18GHzCortex-A55核心）设计，GPU型号为Adreno620，采用了第五代AI引擎。还支持2×16bitLPDDR4xRAM，频率2133MHz。
配置高通骁龙765G的手机有OPPOReno3Pro、谷歌pixel5、中兴Axon11、VivoX50Pro、OppoFindX2Lite、一加Nord、Nokia83等等。
三星8nm工艺和台积电7nm工艺区别为：沟道长度不同、单位密度不同、功耗不同。
一、沟道长度不同
1、三星8nm工艺：三星8nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度比台积电7nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度要短。
2、台积电7nm工艺：台积电7nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度比三星8nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度要长。
二、单位密度不同
1、三星8nm工艺：三星8nm工艺所能达到的单位密度比台积电7nm工艺所能达到的单位密度要高。
2、台积电7nm工艺：台积电7nm工艺所能达到的单位密度比三星8nm工艺所能达到的单位密度要低。
三、功耗不同
1、三星8nm工艺：三星8nm工艺的芯片功耗比台积电7nm工艺的芯片功耗要高。
2、台积电7nm工艺：台积电7nm工艺的芯片功耗比三星8nm工艺的芯片功耗要低。
