SRAM具有众多的架构，各针对一种特定的应用。本文旨在对目前市面上现有的SRAM做全面评述，并简要说明就某些特定用途而言，哪类SRAM是其最佳选择。 SRAM从高层次上可以划分为两个大类：即同步型和异步型。同步型SRAM采用一个输入时钟来启动至存储器的所有事务处理（读、写、取消选定等）。而异步型SRAM则并不具备时钟输入，且必须监视输入以获取来自控制器的命令。一旦识别出某条命令，这些器件将立即加以执行。 同步SRAM家族分类 与某一特定应用相适应的最佳SRAM的选择取决于多个因素，其中包括功率限制、带宽要求、密度以及读/写操作模式等。可满足不同系统要求的同步型和异步型SRAM多种多样，本文将逐一加以说明。 各种同步型SRAM比较 同步型SRAM于上个世纪80年代后期首度面市，最初是面向具有极高性能的工作站和服务器中的第二级（L2）高速缓冲存储器应用。进入上个世纪90年代中期之后，它又在较为主流的应用（包括个人电脑中的第二级高速缓冲存储器）中寻觅到了自己的用武之地。自那以后，在包括高性能网络在内的众多应用的设计中，同步型SRAM大行其道（在这些应用中，它们通常被用于数据缓冲器、高速暂存器、队列管理功能和统计缓冲器）。 同步型SRAM又可以采用多种不同的架构。下文将对某些“主流”的器件做简要说明。 1：标准同步型SRAM 标准同步型SRAM是被“主流应用”所接纳的第一种同步型SRAM。这些器件虽然主要面向PC L2高速缓冲存储器应用，但也渗透到了非PC应用领域中，比如网络、电信、数字信号处理（DSP）以及医疗和测试设备。其中，标准同步型SRAM具有两种基本格式：流水线型和直通型。两者之间的差异是：直通型SRAM仅在输入端上具有寄存器，当地址和控制输入被捕获且一个读存取操作被启动时，数据将被允许“直接流”至输出端。当用户对初始延迟的重要性考虑超过对持续带宽的考究时，人们往往优先采用直通型架构。“流水线型”同步SRAM同时拥有一个输入寄存器和一个输出寄存器。流水线型SRAM所提供的工作频率和带宽通常高于直通型SRAM。因此，在需求较高宽带，而对初始延迟不是很敏感时，人们常常优先采用流水线型SRAM。 2：NoBLTM（无总线延迟）型SRAM 有些应用不允许“等待状态”。比如网络应用中“等待状态”有可能对性能产生严重的影响。为解决该问题，赛普拉斯公司推出了无总线延迟（NoBL）型SRAM。NoBL型SRAM与标准同步型SRAM很相似，但是拥有附加的片上逻辑电路，旨在完全消除标准同步型SRAM系列所需的“等待状态”。通过消除这些“等待状态”，此类SRAM能够实现100[%]的总线利用率（丝毫不受读/写模式的影响）。该功能极大地改善了存储器性能，尤其是当存在频繁的读/写操作变换时。 NoBL型SRAM也存在两种版本：直通型和流水线型。直通型NoBL SRAM始终具有一个单周期偏移，而NoBL流水线型SRAM则保持了一个双周期偏移。 3：四倍数据速率（QDRTM）型SRAM 尽管推出了NoBL型架构并使性能较之标准同步型SRAM有所改善，但某些系统对性能有着更高的要求。于是，赛普拉斯、Renesas、IDT、NEC和三星等几家公司联合开发出了QDR型SRAM。QDR架构旨在满足那些要求低延迟且所需带宽明显高于NoBL型架构提供能力的“高带宽需求型”系统的需要。 QDR型SRAM与NoBL型SRAM最为显着的差异之一是前者的读端口和写端口是分开的。这些端口可独立工作，并支持并行的读和写事务处理。QDR型 SRAM能够以DDR传输速率（2倍）来支持两项同时出现的事务处理，四倍数据速率（QDR）的名称便是由此得来的。 QDR型SRAM具有两种基本类型：即2字脉冲串和4字脉冲串。这两种类型之间的差异在于每项事务处理过程中所支持的脉冲串长度。 4：QDR-II型SRAM QDR- II型SRAM与QDR型SRAM相似，但在性能方面进一步提升。与相同频率的QDR型器件相比，QDR-II型SRAM所产生的总数据有效窗口面积大了 35[%]左右。另外，QDR-II型SRAM产品还比QDR型器件多了一个半延迟周期。这增加的半个时钟周期可在对初始延迟影响极小的情况下提供高得多的频率和带宽。 5：DDR型SRAM 如果QDR型SRAM面向的是具有平衡读/写模式的应用，DDR型SRAM架构则主要针对那些需要进行数据流式传输（例如，后随多项写操作的多项读操作）、且所需带宽远远高于标准同步型器件或NoBL型器件的应用。DDR型SRAM具有出众的整体总线利用率以及高得多的总带宽，性能也因此得到了最大限度的提升。 和QDR型SRAM一样，DDR型SRAM也有两种格式：即2字脉冲串和4字脉冲串。究竟选择哪一种取决于所需的数据颗粒度以及存储器的数据总线宽度。 各种异步型SRAM比较 第二大类SRAM为异步型SRAM。那些不具备时钟输入的SRAM便是异步型的。在这些器件中，读操作和写操作将在器件接收到指令之后立即被启动。 采用异步型SRAM最大的优点之一是它们拥有长达几十年的使用历史并已为人们所充分了解。由于异步型SRAM已经面市很久了，因此许多标准处理器都包含了业已配备异步型SRAM接口的存储控制器，从而最大限度地减少了所需的设计工作量。异步型SRAM的典型存取时间为8ns（或更长）。因此，它们一般应用于时钟频率为100MHz（或更低）的系统中。异步型SRAM可被进一步划分为两种主要类别：即快速异步型SRAM和低功耗异步型 SRAM（MoBLTM）。 1：快速异步型SRAM 存取时间为35ns（或更短）的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型SRAM。这些存储器通常应用于老式系统中，且功耗较高（1/2W或更高是司空见惯的）。其典型应用包括老式PC L2高速缓冲存储器、高速暂存器以及工业应用中的缓冲存储器。 2：MoBLTM低功耗异步型SRAM 有些应用（例如移动电话）对功耗的关注程度要超过对性能的关注程度。因此，制造商（比如赛普拉斯公司）推出了功耗极低的SRAM系列。赛普拉斯的 MoBL（意指“更长的电池使用寿命”）低功耗异步型SRAM产品库汇集了多款典型存取时间约为40ns（或更长）并专为实现低功耗而优化的器件。典型待机功耗可低至10μW（或更低），而运行功耗则可低至30mW（或更低）。这些器件的存储密度各异，从64Kb到16Mb一应俱全。 伪SRAM（亦即PSRAM） 如果需要16Mb以上的存储密度，则PSRAM（或称伪PSRAM）是一种可行的解决方案。所谓伪SRAM是指一种具有一个DRAM存储器内核和一个“SRAM型”接口的存储器件。由于PSRAM使用了一个DRAM内核，因而也需要进行周期性的刷新，以便保存数据。但不同的是，标准DRAM的刷新控制是在器件外部进行的，而PSRAM则具有一个“隐式”刷新电路，这使得它们能够被容易地用作其他异步型SRAM的存储密度升级型器件。 结论 在选择SRAM时，您会面对众多的选择方案。在某些场合，选择是有限的。许多已经确立了自己稳固地位的处理器都包含了支持特殊SRAM架构的存储控制器。新型处理器的设计则更灵活。为了决定最佳的可选方案，至关重要的是确定存储器子系统（即兆比特每秒、初始延迟、运行功耗、待机功耗、成本等等）的优先级以及系统的工作特性（读/写操作模式、工作频率等等）。 网络应用往往具有接近50/50的读/写模式，它适合于采用QDR系列的解决方案。其他应用（甚至是同一个系统内的功能电路）则往往具有不平衡的读/写模式，这就适合于采用公共I/O架构，包括标准同步型、NoBL型和DDR型。

内存条 怎么看芯片识别大小 我们在攒电脑的时候一般只是注意内存的容量和内存的性能指标，例如 DDR266 DDR333 之类的。但是你知道吗，同样的内存根据他的品牌，出厂时间以及批号不同，它具有着不同的性能和稳定性，本文将着重和您探讨不同品牌内存之间的性能和稳定性的差异以及同品牌但批号不同的内存的性能差异。另外，本文还将重点涉及内存的制假和售假的方法。将向您彻底揭露正品内存和深圳“油条”的鉴别方法。(什么是油条？这里不卖豆浆，下文中将相信向您讲授油条的做法) 鉴于SDRAM 已经走到了生命的尽头，即将完全脱出市场，RDRAM 应用不广DDRII 内存还未量产。所以本文将只涉及市场主流的DDR 内存。 我们先来说一下内存的基本知识，归纳成一句话就是：什么是内存？ 内存就是随机存贮器（Random Access Memory，简称为 RAM）。RAM 分成两大类：静态随机存储器，即Static RAM（SRAM）和动态随机存储器，Dynamic RAM （DRAM），我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。 SRAM 是一种重要的内存，它的用途广泛，被应用在各个领域。SRAM 的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。SRAM 内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，为了实现这种结构，SRAM 的电路结构非常复杂，往往要采用大量的晶体管来构造寄存器以保留数据。采用大量的晶体管就需要大量的硅，因此就增加了芯片的面积，无形中增加了制造成本。制造相同容量的SRAM 比DRAM 的成本贵许多，因此，SRAM 在PC 平台上就只能用于CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。由于SRAM 的成本昂贵，其发展受到了严重的限制，目前仅有少量的网络服务器以及路由器上使用了SRAM。 DRAM 的应用比SRAM 要广泛多了。DRAM 的结构较SRAM 要简单许多，它的内部仅仅由一个MOS 管和一个电容组成，因此，无论是集成度、生产成本以及体积， DRAM 都比SRAM 具有优势。目前，随着PC 机的不断发展，我们对于系统内存的要求越来越大，随着WindowXP 的推出，软件对于内存的依赖更加明显：在 WindowsXP 中，专业版至少需要180MB 内存以上，而在实际使用中，128MB 才能保证系统正常运行。因此，随着PC 的发展，内存的容量将不断扩大，速度也会不断提升。 好了，下面我们在来说一下内存的速度问题。我们选择内存的速度，决定于你选用CPU 的前端总线，例如你用的是P4A 那你不需要用DDR400 才能满足32G 带宽得需要因为P4A 的前端总线是400MHZ，普通得DDR266 能够提供2。1GB 的带宽，此种内存适用于ATHLONXP 低频以及毒龙等中低端配置已经不在主流市场之内。DDR333 能够提供27GB 的内存带宽适用于AMD166MHZ 外频的巴顿处理器。而DDR400 内存以及DDR433 DDR450 内存将能够提供32GB 以上的内存带宽，主要应用在INTEL 高端的P4C P4E 上以及ATHLON64 上面。当然，上文所述的仅仅是能够满足硬件系统的最低要求，由于p4 的前端总线的提高,内存和CPU 之间瓶颈问题已经十分严重,新的内窜技术必将产生例如我们后面简要介绍到的双通道DDR 和未来的DDR 内存当然,如果您拥有一颗像毒龙16G， ATHLONXP1800+(b0 15V 低压版)，P418A ，AthlonXP2000+ ，P424C 巴顿 2500+这样的具有极品超品潜力的 CPU 那么我推荐您购买高一个性能档次的内存，例如Athlon2000+配合DDR333 的内存，这样基本所有的巴顿2000+都可以超到 2500+使用，市场上的假2500+就是用2000+超频而来的。 在WINXP 系统的实际应用中，我们提出一个不规范的公式 内存容量〉内存速度〉内存类型 也就是说 就算是SD256M 内存也比128M 的 DDR400 系统速度快，在选购内存的时候，我们建议XP 系统应该配备384M 以上的内存，才能保证系统的快速运行。 下面我们在来说说内存的品牌差异 熟悉电脑的朋友们都知道，我们经常用到的内存品牌有：海盗船 Kingsotne Kingmax 宇詹 南方高科 三星 HY 杂牌中用的颗粒编号较多的是EACH 的以及 KingsMAN KingRAM 等等。海盗船内存主要用于服务器，我们大家在购买电脑的时候，在资金比较宽裕的情况下，我们推荐Kingstone 的VALUERAM 盒装内存，以及宇詹盒装内存（建议购买英飞凌颗粒的）这两种内存提供内存的终身质保，大家完全可以放心使用，如果资金不是很宽裕，建议购买HY 的内存，经实践证明HY 的内存的兼容性在所有的内存中首屈一指。但是，HY 的内存假货泛滥，关于其造假及售假方法将在下文中提到。如果你要购买HY 的内存，那我建议您一定要买富豪代理或者金霞代理的盒装正品。如果贪图便宜选择散装条子，那就要考考您的眼力了。基本上，我们不推荐您购买杂牌内存，杂牌内存在使用寿命和质保上都不能令人满意，最后说一下Kingmax 内存我们之所以不推荐，就是因为Kingmax 内存与某些主板的兼容性不是很好但其自身的品质和性能绝对也是一流的。我们希望您在购买的时候一定要试试，看有没有兼容性问题。 下面我们来说一下相同品牌内存的选购。让我来为大家解读一些品牌内存的颗粒编号含义： HY XX X XX XX XX X X X X X - XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 这个是市场上流行的现代内存的标号。对应位置上1:不用我说你也看出来了当然是代表HY 生产的颗粒喽 2：内存芯片类型：5D ：DDR SDRAMS 3：工艺与工作电压V ：CMOS，33V U : CMOS, 25V 4：芯片容量和刷新速率： 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref 5: 芯片结构（数据宽度）4：X4（数据宽度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16 32 :x32 6：BANK 数量： 1 :2BANKS 2 :4BANKS 7：I/O 界面： 1 :SSTL_3 2 :SSTL_2 8：芯片内核版本： 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代 9：能量等级： 空白 :普通 L :低能耗 10：封装形式： T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA 11：工作速度： 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B L :DDR200 我们再来看一下Kingstone 内存的标号方法 kvr X c / 1 2 3 4 5 6 7 8 1KVR 代表kingston value RAM 2外频速度3一般为X 464 为没有ECC；72 代表有ECC5有S 字符表示笔记本专用内存，没有S 字符表示普通的台式机或是服务器内存63：CAS=3；25：CAS=25；2：CAS=27分隔符号8内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR 内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是。金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC 校验的CAS=25 的256M 内存 我想通过以上的方法，更能方便大家对于内存的理解和选购。接下来我在强调一些有关内存的常见问题： 1 内存的单面与双面，单Bank 与双Bank 的区别？ 单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank 与双Bank 的区别就不同了。Bank 从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank 是不同的。如Intel 82845 系列芯片组支持4 个Bank，而SiS 的645 系列芯片组则能支持6 个Bank。如果主板只支持4 个Bank，而我们却用6 个Bank 的话，那多余的2 个Bank 就 白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。 2 内存的2-2-3 通常是什么意思？ 这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS 里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3 按顺序说的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP 为RAS 预充电时间，数值越小越好；tRCD 是RAS 到CAS 的延迟，数值越小越好；CL(CAS Latency)为CAS 的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。 3内存的双通道技术和单通道有什么不同？ 什么是双通道DDR 技术呢？需要说明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一种可以让2 条D D R 内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道DDR 技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于P 4 处理器的好处可谓不言而喻。400M H z 前端总线的P 4 A 处理器和主板传输数据的带宽为32G B /s，而533 M Hz 前端总线的P4B 处理器更是达到了43G B/s，而 P4C 处理器更是达到了 800MHZ 前端总线从而需要 6 4 G 的内存带宽。但是目前除了I850E 支持的R ambus P C10 66 规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们最常用的DDR333 本身仅具有27G B/s 的带宽。DDR400 也只能提供32G /s 的带宽。也就是说，如果我们搭建双通道DDR400 的内存，理论上提供2 倍DDR400 的带宽。将从而根本的解决了CPU 和内存之间的瓶颈问题。 4DDR-Ⅱ和现在的DDR 内存有什么不同？ DDR-II 内存是相对于现在主流的DDR-I 内存而言的，它们的工作时钟预计将为 400MHz 或更高。主流内存市场将从现在的DDR-333 产品直接过渡到DDR-II。 DDR-II 内存将采用013 微米工艺， 容量为18MB/36MB/72MB，最大288MB，字节架构为X8、X18、X36，读取反应时间为25 个时钟周期 (此段由于SOHU 禁词限制，发不了） 最后，我将为大家讲授内存的造假售假方法。（以下文字未经内存厂商证实，仅仅为笔者长时间的经验积累，不承担相应的法律责任，特此声明） 现在的假货内存主要集中在HY 普通条子和某些大厂内存（例如这段时间沸沸扬扬的Kingmax）上面。这里面，大厂的内存条比较容易识别，一般来讲，大厂盒装的正品内存在他的内存颗粒或者PCB 上都会有厂商的镭射防伪标签，内存标签清晰，字体规范，Kingmax 等品牌内存还带有800 免费的防伪咨询电话，现场打电话就可以辨别内存的真伪。因为大厂的内存价格相对透明，因此你在 购买内存的时候只要不贪图便宜，就应该可以买到正品大厂内存。而现在最难鉴别的就是HY 的内存，据笔者调查，现在市场上50%以上的HY 散装内存都是假货，但是，假货也分档次。比较有“良心”的假货就是我们通常所说的 REMARK（打磨）最常见的就是将HY 的内存颗粒表面用有机溶剂清洗，再标上更高内存性能的编号，例如将DDR266 的内存打磨成DDR333 的内存出售或者打磨成Kingstone， Kingmax 等大厂的内存出售，谋取利益。这样的内存在容量上没有问题，但是因为一般都是在超标准频率下使用，必然导致系统的不稳定。这种内存一般很好辨别，只要用手搓内存颗粒表面，用指甲刮，就能轻易的将表面的字迹去除，从而辨别真假。但是，一些手段比较高明的造假者，做出来的内存表面进行了特殊处理，让你不能够轻易的抹除字迹。对于这种内存，就要考考您的眼力了。一般说来，正品的内存字迹都是激光“刻”印在内存颗粒上的，会在内存颗粒上留下痕迹，打磨内存的奸商必然覆盖这些痕迹，看上去字体不是那么的规范，字的大小也不是很一致。字体的边角不够圆滑。辨别类似的内存，就需要一些久经杀场的老鸟了。下面我将告诉大家一种最为狠毒的制假方法，那就是本文开头提到的“油条”了。我先简要讲述一下此种内存的制作“工艺”。这种内存主要生长在我国南部省份，以深圳为甚。首先，不法奸商用极其低廉的价格（1000 元人民币一吨）收购国外运来的洋垃圾，或者是在中国市场上几乎可以不计成本的收购已经烧掉或者损坏的内存条，将这些内存放到一个大油锅里面煮，去掉焊锡，清除焊点和内存表面的字迹。然后用香蕉水（剧毒，有强烈刺激气味）进行清洗。然后，挑出相同的芯片重新焊在 PCB 上，再标上内存编号进行销售，这样的内存千条采购价格以256M 为例只有 120 元左右。可以说相当具有“性价比”，从而成为不法奸商们手中的“极品”以牟取暴利。这种内存可以说是性能和稳定性皆无。但是，我们不得不佩服中国人的制假方法，他们把这种内存做的和HY 内存一模一样，只是内存PCB 颜色看上去有些许的不均匀。但是，这种内存基本上还是很好辨别，大家在购买内存的时候，不要只看内存的表面字迹，应该注意一下内存颗粒右下角的内存编号一般都是数字例如56787 之类的，这种内存由于大批量处理，一般在一条内存上你会发现有2 种甚至更多种的内存颗粒只要抓住这点，基本上可以识别出这种假货内存，另外，我们还可以闻一下内存，都会有一些余味（香蕉水的味道） 最后，笔者奉劝您在购买内存的过程中，不要贪图几十元的小便宜，而为您的 系统带来不稳定甚至导致整机的故障。希望通过本文，能够对您在内存的选购方面有所帮助。希望大家都能够买到稳定性能一流的内存 不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考： DDR SDRAM： HYNIX DDR SDRAM 颗粒编号： HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整个DDR SDRAM 颗粒的编号，一共是由14 组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1． HY 是HYNIX 的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3． 处理工艺及供电：（V：VDD=33V & VDDQ=25V；U：VDD=25V & VDDQ=25V；W：VDD=25V & VDDQ=18V；S：VDD=18V & VDDQ=18V） 4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K 刷新；66：64M 2K 刷新；28： 128M 4K 刷新；56：256M 8K 刷新；57：256M 4K 刷新；12：512M 8K 刷新；1G：1G 8K 刷新） 5． 内存条芯片结构：（4＝4 颗芯片；8＝8 颗芯片；16＝16 颗芯片；32＝32 颗芯片） 6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8． 内核代号：（空白=第1 代；A=第2 代；B=第3 代；C=第4 代） 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝ MCP（UTC）） 12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85 度）；E=扩展温度（-25 - 85 度）） 由上面14 条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13 等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM 内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第 13 位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L 的产品（也就是说，它只支持DDR200） 注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的 LGS 的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS 应该首先排第一位。 LGS 的内存编码规则： GM 72 X XX XX X X X X X XXX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、GM 代表LGS 公司。 2、72 代表SDRAM。 3、V 代表3V 电压。 4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K 刷新；17：16M，2K 刷新； 28：128M，4K 刷新；64： 64M，16K 刷新。65：64M，8K 刷新；66：64M，4K 刷新。 5、数据带宽：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位。 6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK 7、I／O 界面：一般为1 8、产品系列：从A 至F。 9、功耗：空白则是普通，L 是低功 10、封装模式：一般为T（TSOP） 11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K （10NS[一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ） 二、HY（现代HYUNDAI） 现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。 HY 的编码规则： HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、HY 代表现代。 2、一般是57，代表SDRAM。 3、工艺：空白则是5V，V 是3V。 4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K 刷新；64：64M，8K 刷新；65：64M， 4K 刷新；128：128M， 8K 刷新；129：128M，4K 刷新。 5、数据带宽：40：4 位，80：8 位，16：16 位，32：32 位。 6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O 界面：一般为0 8、产品线：从A－D 系列 9、功率：空白则为普通，L 为低功耗。 10、封装：一般为TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100， CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS 三、SEC（三星SAMSUNG） 做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量 虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM 参考。 SEC 编码规则： KM4 XX S XX 0 X X XT－XX 1 2 3 4 5 6 7 89 10 11 1、KM 代表SEC 三星，此处编码一般均为4。 2、数据带宽：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位。 3、一般均为S 4、这个数乘以S 前边的位数就是内存的容量。 5、一般均为0 6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK 7、I／O 界面：一般为0 8、版本号 9、封装模式：一般为T：TSOP 10、功耗：F 低耗，G 普通 11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。 四、MT（MICRON 美凯龙） 美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高。 MT48 XX XX M XX AX TG－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、MT 代表美凯龙MICRON 2、48 代表SDRAM。 3、一般为LC：普通SDRAM 4、此数与M 后位数相乘即为容量。 5、一般为M 6、位宽：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位 7、AX 代表write Recovery(twr)，A2 则代表twr=2clk 8、TG 代表TSOP 封装模式。 9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X 为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D 和E 较好），10：10NS 10、如有L 则为低功耗，空白则为普通。 五、HITACHI（日立HITACHI） 日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！ HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HM 代表日立。 2、52 代表SDRAM，51 则为EDO 3、容量 4、位宽：40：4 位，80：8 位，16：16 位 5、一般为5 6、产品系列：A－F 7、功耗：L 为低耗，空白则为普通 8、TT 为TSOP 封装模式 9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3） 六、SIEMENS（西门子） 西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM 厂商制造的，产品品质还算不错。 HYB39S XX XX 0 X T X －X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HYB 代表西门子 2、39S 代表SDRAM 3、容量 4、位宽：40：4 位，80：8 位，16：16 位 5、一般为0 6、产品系列 7、一般为T 8、L 为低耗，空白为普通 9、速度： 6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10： 10NS 七、FUJITSU（富士通FUJITSU） 富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM 商，市场上仅有少量零售产品。 MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、MB81 代表富士通的SDRAM 2、PC100 标准的多为F，普通的内存为1 3、容量 4、位宽：4：位，8：8 位，16：16 位，32：32 位 5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK 6、产品系列 7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS （CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS 八、TOSHIBA（东芝） 东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等。TOSHIBA 的内存产品在市场上见到的不多。 TC59S XX XX X FT X－XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1、TC 代表东芝 2、59S 代表普通SDRAM 3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT 4、位宽：04：4 位，08：8 位，16：16 位，32：32 位 5、产品系列：A－B 6、FT 为TSOP 封装模式 7、空白为普通，L 为低功耗 8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3） 九、MITSUBISHI（三菱） 三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT 业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL 的PII／PIIICPU 的缓存供应商。普通 SDRAM 方面，因为较贵，所以市场上少见。 M2 V XX S X 0 X TP－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、M2 代表三菱产品 2、I／O 界面。一般为V 3、容量 4、一般为S，说明是SDRAM 5、位宽：2：4 位，3：8 位，4：16 位 6、一般为0 7、产品系列 8、TP 代表TSOP 封装 9、速度： 8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。 10、空白为普通，L 为低耗。

　　尊敬的三星用户，您好！

三星手机分ram与rom。

ram为手机临时内存（也称运行内存），其主要特点是暂时存储，随时读写，高访问速度，是手机运行时存储文件的重要工具。

rom为手机内置存储器（内置硬盘），其特点为长期有效的保存文件数据，不会丢失。

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　　感谢您到三星平台提问：http://supportsamsungcomcn/ask

那可能我搞错了

i519手机内存与PDA内存是分开放置的，其手机内存为32Mb (Flash) + 8Mb (SRAM)，而PDA内存则达到了64 MB (Flash) + 64 MB (SDRAM)

不但不是一家 而且还是竞争对手

面对滚滚而来的数字化浪潮，雄心勃勃的韩国人现在已盯上了英特尔巨人，试图要赶超英特尔，坐上芯片制造的头把交椅，当数字时代的真正英雄。我们不禁要追问，英特尔能否奋起反击，三星能否梦想成真？

在过去的十年中，三星公司已经从当初的效仿索尼而一举成为目前全球最赢利的消费电子产品制造商。如今，三星一跃成为世界知名品牌，其成功的商业化运作令索尼汗颜。据Interbrand咨询机构的调查显示，三星是全球品牌价值增长速度最快的企业。不论在巴黎的街头，还是在偏远的皮尔里尔，人们随处可见三星电子的身影。

现在，三星又吹响了赶超英特尔的号角。正所谓春风得意，出师大捷。今年9月20日，三星电子半导体业务主管黄昌圭宣称，今年上半年三星半导体收入增长80%，是英特尔增幅的近四倍。“三星和英特尔的差距在近一步缩小，三星的目标是成为世界芯片业老大。”三星超越英特尔的雄心不言自明。

三星能否把实现夙愿，超越英特尔？我们来看一下，在传统的PC芯片市场，英特尔虽受AMD的冲击，占有率有所减少，但仍占76%以上的市场，业内老大的地位暂时无人能及。而三星半导体收入只是英特尔的一半，显然，PC芯片市场并不是三星超越英特尔的突破点。三星也意识到了这一点，采取声东击西战略，在闪存市场、手机芯片、数码像机以及MP3等战场寻求突破。业内指出，如果双方角逐的重点离开PC芯片市场而转向便携电子产品等领域，天平会倒向三星，英特尔很可能在不久的将来会把竞争的主动性拱手相让于三星电子。

三星声东击西搞多元化战略

几年前，三星就开始扩大产品种类，减少对DRAM单一产品的依赖。今天，三星的存储产品有200种之多，包括DDR、DDR2、Rambus DRAM、同步及异步DRAM、低能耗移动DRAM、图形存储卡、替代SRAM及DRAM的几种混和产品和闪存。2003年，三星存储产品销售的64%来自于消费、图形及移动市场，而不是电脑。

产品的多样化使三星摆脱了单纯依赖DRAM的局面，也增加了赢利。三星主管存储产品美国市场销售的副总裁汤姆·奎恩坦言，开发多种产品需要更大的投入，但只要每一种产品都是经过仔细论证的，投入将会在目标市场上得到回报。据Tom Quinn介绍，三星提供的产品存储容量占整个行业的26%，然而其收入却达到了33%。

据IC Insights机构分析，今年上半年三星内存销售额达74亿美元，市场份额提升到7,3%。和英特尔的14,7%相比，三星仍然有一段距离，但和第三名的TT相比却领先很多。在闪存市场，三星在照像存储和手机音乐播放等方面大踏步前进。2003年，英特尔占这一市场的21%，三星占15%，差距在进一步缩小。三星表示，要在包括照像机图像传感、显存芯片、数字显示器、手机芯片等5个主要的逻辑半导体市场扩大市场份额。毫无疑问，三星在手机市场的丰富经验必会帮助其在上述市场站稳脚跟。专家预测，到2007年，这些市场将为三星带来30亿美元的收入。

黄昌圭称，三星只有不断提高在高端视频和音频市场占有率才能进一步刺激内存的需求。现在，三星凭借在内存市场的优势，稳扎稳打，步步为营，不断扩大市场份额，紧逼英特尔核心PC业务，逻辑芯片在数字产品中日益应用。尽管三星无意发展PC微处理器，但随着英特尔进军手机市场步伐的加快，两者必会狭路相逢。他相信，手机产品是业内未来增长的助推剂。三星电子非存储业务战略师安迪指出，“手机的新一轮变革为三星提供了绝佳的机会，便携产品的需求必会刺激芯片销量的增长。”

美林证券的分量师西蒙·吴指出，三星的野心宏伟无比，三星无疑是世界第一大内存芯片制造商，“但三星要想在非存储市场证明自己的实力还有一段很长的路要走。”进一步讲，三星的对手不止英特尔一个，iSuppli市场分析机构分析专家约翰·塞尔彭指出，“在手机市场，英特尔绝不会轻易认输，让出自己的位置。”

英特尔从容接招

对于三星的雷霆攻势，英特尔似乎显得很平静。但英特尔内部人士透露，公司对三星的举动高度重视。英特尔洞察到，三星在手机市场扮演竞争者和供应者的双重角色存在着潜在的漏洞，“三星和自己的客户竞争，这将引发灾难，因为这么做会失去客户的信任。”

另外，尽管三星目前在闪存市场实力雄厚，但这并不会给三星带来战胜英特尔的永久优势。三星以制造“NAND”闪存而闻名，这种闪存易于存储音乐和图像文件。而英特尔，以“NOR”闪存而著称，这种闪存价格昂贵但很容易和逻辑芯片融合使用。三星称，明年NAND市场可望增长38%，市场规模为99亿美元，三星要占市场的68%。英特尔也不服软，表示明年要赢得NOR市场76亿美元，而iSuppli预测英特尔收入会下降6%。专家指出，为了同NAND进行竞争，NOR内存的价格可能会下降，而最终NOR内存会胜出。但是，三星表示，不必杞人忧天，三星相信NAND价格会更便宜，其内存容量也会进一步扩大。

iSuppli首席执行官Derek Lidow表示，在2001-2003年的芯片业低迷时期，三星是最成功的芯片提供商，而从竞争对手手中掠走大量客户是这一成功的主要原因。从1998年至今，三星芯片出货量已翻了一番还多，成为仅次于英特尔的全球第二大芯片供应商。1992年，三星的DRAM(动态随机存取存储器)产量跃居全球第一；1996年SRAM(静态存储器)产量也实现了全球第一；2002年，三星所有的电子产品(不仅是半导体)销售额首次超过了英特尔，达340亿美元，而英特尔是270亿美元。2003年，在美国《电子商务》排列的Top 300中，三星名列第11，而英特尔居第14。英特尔2003年的芯片销售额为300亿美元，几乎是三星105亿美元的三倍。

2003年7月15日，英特尔CEO贝瑞特领导全公司庆祝英特尔成立35周年，当时英特尔刚刚度过半导体产业严重的滑坡，为了纪念，贝瑞特等英特尔高级管理人员埋下了一个盒子，要到2018年公司成立50周年时再挖出来。盒子里装有当年给英特尔带来好运的100个物品，这部分是为了纪念英特尔在生产和技术上的重大投资，这些投资使英特尔2003年的销售收入增加了125%，达到301亿美元，盈利更是增长了81%，达到56亿美元。英特尔去年埋下的盒子也许掀开了公司传奇历史的新篇章，也许是公司命运的转折点，标志着英特尔的统治地位将逐渐结束。

业内分析人士认为，三星全面超越英特尔，并非异想天开，成功的机率是非常的大。三星的CEO更是自信地表示，“三星不会等待未来，三星要创造未来。”最近，三星美国部门高级副总裁Jon Kang透露，三星将在2006年之前投入200亿美元用于研发和生产改进。在三星隆隆的追赶声中，英特尔是否有芒刺在背的感觉中，标志权力和荣耀的王冠能戴多久，我们拭目以待。

LG公司

乐喜化学（LUCKY）和大家熟悉的高仕达电子（GOLDSTAR）合并成为LUCKY-GOLDSTAR，其中GOLDSTAR又叫金星，合并后的公司即为“乐喜金星”，简称“LG”，即“乐金”