尊敬的三星用户您好：
根据您的描述:
为您推荐三星SSD 850EVO系列。
V-NAND什么是 3D V-NAND？它与现有技术有什么不同？
三星独一无二的创新性 3D V-NAND 闪存架构是一项巨大突破，克服了传统平面 NAND 架构的密度、性能和耐久性局限。3D V-NAND 的架构设计通过让 32 个芯片层彼此垂直堆叠，而不是缩减芯片尺寸并尝试将自身容纳到一个固定的水平空间，因此使得密度更高，性能更好，而占用的空间更小。
极致读取/写入性能TurboWrite 技术带来无可匹敌的读写速度，优化日常计算性能
借助三星的 TurboWrite 技术，实现终极读写性能，最优化您的日常计算体验。相比 840 EVO，您不仅可以获得超过 10% 的用户体验提升，而且 120/250 GB 型号 的随机写入速度最高可以提速 19 倍。850 EVO 可以提供一流的顺序读取 (540 MB/s) 和写入 (520 MB/s) 性能。此外，在客户端 PC 使用情况下，您可以获得针对全部 QD 的优化的随机性能。
增强的可靠性3D V-NAND 技术为耐久性和可靠性带来保障支持
与上一代的 840 EVO 相比，850 EVO 的 TBW 翻倍，且可以提供业内领先的 5 年质保，因此可以提供耐用性和可靠性保障。对比 840 EVO，850 EVO 可以最小化性能下降，从而带来高达 30% 的稳定性能提升，业已证明是值得依赖的存储设备。
建议您通过三星官网以下地址查询该机系列硬盘的详细介绍。
http://wwwsamsungcom/cn/search/q=三星850EVO
三星企业知道，为您提供优质的解决方案，用心解答您的问题，希望能够得到您的满意评价。
推荐使用840 pro，840pro的性能在桌面级硬盘里几乎没有对手，至于颗粒EVO使用的是TLC颗粒 理论擦写最少1000次 SSD是有写入限制的 而擦写数指的就是寿命 SSD擦写一次指的是120G的SSD 写入120G为1次擦写 TLC理论只能擦写1000次 就是说120G的理论寿命为120000G 而PRO是MLC颗粒 理论最少擦写3000次 也就是说 寿命理论比EVO高3倍
尊敬的三星用户您好：根据您的描述:三星固态硬盘840 EVO和840 PRO区别如下：两款固态硬盘的NAND Flash闪存芯片不同，840 EVO采用的闪存芯片为TLC，840 PRO采用的闪存芯片为MLC，后者无论从读写速度与使用寿命上都强于840 EVO评价、建议、吐槽，请点击：supportsamsungcomcn/survey
