闪存读取几乎没有寿命限制，但反复读取容易产生读取干扰造成数据出错，当然一般家用几乎不会遇到那种情况。TLC的写入寿命一般为500到2000次之间，根据主控纠错技术的不同，一样的闪存也会有不同的耐久度表现，由于三星没有披露具体资料所以谁也不清楚750Evo的闪存擦写寿命，不过从三星公布的TBW主机写入量标称来看，750Evo的闪存不是很耐用，比850Evo要差的远
固态硬盘寿命一般是10-20年左右。固态硬盘闪存具有擦写次数限制的问题，这也是许多人诟病其寿命短的所在。闪存完全擦写一次叫做1次P/E，因此闪存的寿命就以P/E作单位。34nm的闪存芯片寿命约是5000次P/E，而25nm的寿命约是3000次P/E。随着SSD固件算法的提升，新款SSD都能提供更少的不必要写入量。一款120G的固态硬盘，要写入120G的文件才算做一次P/E。普通用户正常使用，即使每天写入50G，平均2天完成一次P/E，3000个P/E能用20年(在实际使用中，用户更多的操作是随机写，而不是连续写，所以在使用寿命内，出现坏道的机率会更高)。另外，虽然固态硬盘的每个扇区可以重复擦写100000次(SLC)，但某些应用，如操作系统的LOG记录等，可能会对某一扇区进行多次反复读写，而这种情况下，固态硬盘的实际寿命还未经考验。不过通过均衡算法对存储单元的管理，其预期寿命会延长。SLC有10万次的写入寿命，成本较低的MLC，写入寿命仅有1万次,而廉价的TLC闪存则更是只有可怜的500-1000次。扩展资料TLC颗粒的固态硬盘，它的擦写次数大约为1000 P/E，如果我们每天给影驰ONE 120G SSD写入10GB的数据，那么SSD的寿命=120GB1000/10/365=33年通常来说，在固态硬盘彻底坏掉之前，依然有机会进入到保护模式，以写保护的状态保全存储在盘内的数据完整，从而让用户有机会进行最后的备份。下图所示为东芝TR200的SMART信息，ID 167为SSD Protect Mode，正常原始值为零，可以读取和写入，当闪存寿命临近耗尽时数值变为1，只允许读取禁止写入。
参考资料：
正常情况下，固态硬盘全盘写入次数为1000次，这里所说的全盘写入指的是极限，日常使用远达不到全盘写入的情况，即使每天执行全盘写入一次，固态硬盘使用也应该至少3年。。。。。
日常情况下正常使用5-8年是没问题的
