现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC，没有A的或B的，就不是PC 100内存。经测试，发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。66841XT75为PC133的，66841ET7K为PC100的。
现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX
HY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。
第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V, "U"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：
16：16Mbits，4K Ref。
64：64Mbits，8K Ref。
65：64Mbits，4K Ref。
128：128Mbits，8K Ref。
129：128Mbits，4K Ref。
256：256Mbits，16K Ref。
257：256Mbits，8K Ref。
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。
第9个X一般为0，代表LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。
第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式，分别如下：
JC：400mil SOJ
TC：400mil TSOP-II
TD：13mm TSOP-II
TG：16mm TSOP-II
最后几位为速度：
7：7ns〔143MHz〕
8：8ns〔125MHz〕
10p：10ns〔PC-100 CL2或3〕
10s：10ns〔PC-100 CL3〕
10：10ns〔100MHz〕
12：12ns〔83MHz〕
15：15ns〔66MHz〕
例如：常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。
首先你的内存用的是西门子英飞凌内存颗粒0742表示是2007年第42周生产。
部分内容由8个小部分组成，所传达的信息和三星、现代基本一致，包括容量、位宽、工作电压等等信息。下面就根据下表来逐一说明各部分的含义。
第1部分的“HYB”是所有英飞凌内存都会有的，因为这三个字母代表该内存颗粒是由英飞凌制造。
第2部分代表工作电压，由两位数字组成。“39”代表3.3V，“25”代表5V，“18”代表1.8V。
第3部分代表内存类型，由1位字母组成。“S”代表该内存为SDRAM，“D”代表该内存为DDR，“T”则代表DDR2。
第4部分代表容量，由3位数字组成。分别由“128”、“256”、“512”、“1G”代表128MB、256MB、512MB、1GB容量。
第5部分代表单颗颗粒的位宽，由两个数字组成。“40”代表4bit，“80”代表8bit，“16”代表16bit.
第6部分代表产品登记，“0”表示标准产品。
第7部分代表产品版本号，由1个字母组成。和现代和三星一样，字母在字母表中顺序越靠后，说明内存的版本越新。
第8部分代表封装类型，由1个字母组成。“C”表示FBGA（含铅）封装；“T”表示TSOP 400mil（含铅）封装；E表示TOSP 400 mil（无铅无卤）封装；G表示堆叠TSOP（无铅无卤）封装。
